總部位于東京的三菱電機公司將推出第二代全碳化硅（SiC）功率模塊，該功率模塊采用了最新開發(fā)的工業(yè)用SiC芯片。

　　組件模塊中的SiC-MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）芯片具有低功耗特性和高載頻工作性能，從而有助于開發(fā)用于各種工業(yè)領(lǐng)域中的更高效、更小、更輕的動力設(shè)備器件。預(yù)計將于2021年1月開始在市場銷售。

　　具體來說，結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）摻雜技術(shù)與常規(guī)SiC產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻降低了約15％，例如三菱電機的第一代SiC模塊，具有相同的額定值，可用于工業(yè)用途。

　　減小鏡電容，即MOSFET結(jié)構(gòu)中柵極和漏極之間的雜散電容，可實現(xiàn)快速開關(guān)并降低開關(guān)損耗。

　　與三菱電機的傳統(tǒng)硅絕緣柵雙極晶體管（Si-IGBT）模塊相比，內(nèi)置的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和肖特基勢壘二極管有助于將功率損耗降低約70％。

　　三菱電機認為，降低功率損耗和高載波頻率運行將有助于開發(fā)更小、更輕的外部組件，例如電抗器和冷卻器等器件。