美國(guó)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造商Transphorm的第二款900V GaN FET現(xiàn)已投入生產(chǎn)，TP90H050WS的典型導(dǎo)通電阻為50mΩ，瞬態(tài)尖峰額定值為1000V，并且已通過JEDEC認(rèn)證。其主要目標(biāo)市場(chǎng)在工業(yè)和可再生能源方面，包括光伏逆變器、電池充電、不間斷電源（UPS）、照明和儲(chǔ)能等應(yīng)用。此外，這些器件現(xiàn)在可以使三相工業(yè)系統(tǒng)和高壓汽車電子產(chǎn)品充分利用GaN的速度，效率和功率密度。

　　TP90H050WS于去年推出，是該公司繼TP90H180PS之后的第二個(gè)900V器件。兩片常關(guān)型功率晶體管采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，具有±20V的柵極魯棒性，從而提高了其在電源系統(tǒng)中的可靠性和可設(shè)計(jì)性。Transphorm高速GaN和耐熱性強(qiáng)的TO-247封裝相結(jié)合，使系統(tǒng)在不帶橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）的典型半橋配置中，可達(dá)到超過99％的效率，同時(shí)產(chǎn)生高達(dá)10kW的功率。

　　伊利諾伊理工學(xué)院（IIT）目前正在ARPA-E電路計(jì)劃中使用TP90H050WS，該計(jì)劃將Transphorm的產(chǎn)品與IIT的固態(tài)開關(guān)拓?fù)洫?dú)特地結(jié)合在一起。該項(xiàng)目旨在為可再生能源微電網(wǎng)生產(chǎn)可靠的固態(tài)斷路器（SSCB）。它包括使用900V GaN器件開發(fā)自主運(yùn)行，可編程和智能雙向SSCB。

　　IT的John Shen博士說：“Transphorm的GaN技術(shù)超出了我們的預(yù)期。它具有完整封裝、 高功率密度、可靠的雙向性，并且作為市面上唯一的900 V GaN器件，以一種小型封裝提供了前所未有的功率輸出。”

　　Transphorm憑借其DC-AC逆變器評(píng)估板繼續(xù)簡(jiǎn)化開發(fā)工作。 TDINV3500P100-KIT使用四個(gè)TP90H180PS 170mΩ FET設(shè)計(jì)，使用全橋拓?fù)鋪碇С止ぷ饔?00kHz或以上頻率運(yùn)行的單相逆變器系統(tǒng)。