光子器件與集成技術

教育背景：
2000.9-2004.7 西安交通大學 微電子 學士
工作簡歷：
2010.4-至今 中科院微電子所先導中心，主要負責22nm HKMG gate last工藝、14-16nm FDSOI 工藝和硅基光電工藝的開發。
2004.7-2010.3 華潤上華科技股份有限公司工藝整合部課長，主要負責0.18μm以上mixed mode、logic、BCD、power MOS等產品工藝開發。

硅光子技術、CMOS先進技術

1. B. Li, B. Tang, P. Zhang, J. Yu, X. Liu, and Z. Li, "Optimized fabrication of wafer-level Si waveguides based on 200-mm CMOS platform," Optik 172, 777-782 (2018).
2. Longda Zhou, Bo Tang, Hong Yang, Hao Xu, Yongliang Li, Eddy Simoen, Huaxiang Yin, Huilong Zhu, Chao Zhao, Wenwu Wang, Dapeng Chen and Tianchun Ye,“Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated pCMOSFETs”,International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) 2018.
3. Longda Zhou, Bo Tang, Hao Xu, Qianqian Liu, Hong Yang, Jing Zhang, Eddy Simoen, Huaxiang Yin, Huilong Zhu, Chao Zhao, Dapeng Chen and Wenwu Wang, “The Impact of Electron Tunneling on NBTI Degradation in Ultra- thin p-MOSFETs with Sub-1nm EOT”, ADMETA 2018.

2014年中國科學院杰出科技成就獎

1. 半導體器件的制造方法 –?授權號102543748B
2. 混合線條的制造方法 –授權號?102983067B
3. 混合線條的制造方法 –授權號102983066B
4. 一種混合線條的制造方法 –?授權號103187247B
5. 半導體器件及其制造方法 –授權號?105304629B?