目前器件與工藝仿真平臺已具備優(yōu)良的硬件條件和完善的軟件部署，建立了針對FinFET，環(huán)柵納米線，隧穿晶體管，負電容晶體管，以及新興二維材料，拓撲絕緣體等量子材料和納米器件的仿真計算解決方案。器件仿真方法包括傳統(tǒng)漂移擴散方程，相空間波爾茲曼方程，非平衡格林函數(shù)電子輸運計算方法，可滿足器件性能優(yōu)化設(shè)計，微觀結(jié)構(gòu)功能界面，原子尺度材料物性的跨尺度計算需求。工藝仿真主要針對先進CMOS工藝模塊開發(fā)和整合，以有工藝庫覆蓋了半導體制造業(yè)界主流標準工藝步驟，如刻蝕、沉積、平坦化(CMP)、外延生長、離子注入以及熱擴散等。同時可針對特殊工藝需求開發(fā)基于動力學蒙特卡洛方法或分子動力學方法的定制化解決方案。目前平臺包括高性能CPU計算集群一個，擁有Intel Xeon系列物理核心284個，總內(nèi)存18T，總存儲空間26T，理論峰值計算速度18Tfloap. NVIDIA tesla V100 雙路GPU服務(wù)器一臺，圖形工作站一臺。