模塊名稱

主要特征

主要用途

雙面光刻

雙面對(duì)準(zhǔn)精度1.5μm

晶圓背面圖形化

低應(yīng)力多晶硅淀積

應(yīng)力-40~+40MPa

MEMS結(jié)構(gòu)層或犧牲層

XeF2腐蝕

SiO2選擇比：>600:1

SiNx選擇比：>60:1

MEMS結(jié)構(gòu)釋放

HF Vapor

無(wú)粘連氧化硅各向同性腐蝕

MEMS結(jié)構(gòu)釋放

DRIE

深寬比：<50:1

MEMS結(jié)構(gòu)加工

BESOI

頂硅厚度：10~100μm

BOX層厚度：0.5~10μm

MEMS結(jié)構(gòu)材料

Cavity SOI

Cavity尺寸：

1×1~1000×1000μm2

MEMS結(jié)構(gòu)材料

Al-Ge鍵合

鍵合環(huán)寬：>70μm

強(qiáng)度：>70MPa

晶圓級(jí)封裝

Au-Sn鍵合

鍵合環(huán)寬:>120μm

強(qiáng)度：>60MPa

晶圓級(jí)封裝