亚洲无精品一区二区在线观看-少妇无码一区二区三区免费-AAAAAA级裸体美女毛片-99桃花在线无码国产毛片视频-亚洲一区二区三区18-精品久久婷婷免费视频-在线观看免费欧美精品-久久国产丝袜高清视频-欧美熟妇极品在线看片

平臺介紹

MEMS平臺

稿件來源：ICAC 責(zé)任編輯： 發(fā)布時(shí)間：2018-11-07

　　MEMS器件及系統(tǒng)中心隸屬于中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心，是CMOS-MEMS兼容的微納加工、檢測與代工服務(wù)于一體的多功能加工平臺。主要為客戶提供MEMS工藝開發(fā)、測試分析、設(shè)計(jì)及結(jié)構(gòu)驗(yàn)證、MEMS器件代工制造、封裝與測試等服務(wù)。該中心可與研究所、高校和企業(yè)全方位對接，為科研服務(wù)，同時(shí)兼顧企業(yè)需求，為企業(yè)提供技術(shù)支撐與代工服務(wù)。對外開放共享是研究所公共支撐體系建設(shè)的目標(biāo)之一，對提高科研水平、開展技術(shù)交流、促進(jìn)學(xué)科交叉、吸引高層次人才、加強(qiáng)與企業(yè)的合作交流都有重要的作用。

　　中心擁有先進(jìn)的CMOS-MEMS工藝兼容的工業(yè)級八英寸線，為客戶提供廣泛的MEMS工藝開發(fā)與代工服務(wù)，并且在江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心擁有一條完整的封裝測試試驗(yàn)線，可形成MEMS的全鏈條服務(wù)。目前已與諸多國內(nèi)企業(yè)、研究院所等建立了穩(wěn)固的合作關(guān)系，形成了獨(dú)具特色的服務(wù)模式。在非制冷紅外焦平面陣列、麥克風(fēng)、壓力傳感器、F-Bar、加速度計(jì)等領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┒鄻踊墓に嚻脚_解決方案與器件晶圓代工，可以幫助客戶將高性價(jià)比的產(chǎn)品快速推向市場，為客戶創(chuàng)造更多的價(jià)值。

　　MEMS器件及系統(tǒng)中心矢志實(shí)現(xiàn)MEMS科研/晶圓代工服務(wù)的靈活定位，最大化客戶價(jià)值。是您最佳的MEMS工藝研發(fā)、測試及晶圓代工合作伙伴！

Module

設(shè)備名稱

主要工藝能力

Litho

步進(jìn)式光刻機(jī)1

1.分辨率：0.5μm；
2.曝光波長：365nm；
3.對準(zhǔn)精度：150nm。

步進(jìn)式光刻機(jī)2：

1.分辨率：0.18μm；
2.曝光波長：248nm；
3.對準(zhǔn)精度：100nm。

雙面步進(jìn)式光刻機(jī)1

1.分辨率：1μm；
2.對準(zhǔn)精度：1.5μm。

雙面接近式光刻機(jī)2

1.分辨率：1μm；
2.對準(zhǔn)精度：3μm。

電子束光刻機(jī)

1.適用于8以及以下英寸晶片加工；
2.最小分辨率：20nm及以下；

涂膠顯影機(jī)

1.涂膠均勻性：（膜厚: 3500？） 3δ≦30？
2.顯影均勻性：3δ≦25nm     

ETCH

柵刻蝕機(jī)-1

130nm技術(shù)代設(shè)備
Chm1：多晶硅
Chm2：HK/MG刻蝕腔體

柵刻蝕機(jī)-2

90nm技術(shù)代設(shè)備

介質(zhì)刻蝕機(jī)-1

130nm技術(shù)代設(shè)備
Chm1：SiO2腐蝕
Chm2：SiNx腐蝕

介質(zhì)/TSV刻蝕機(jī)-2

Chm1:  Cont./Via/Spacer 刻蝕
Chm2：TSV 刻蝕，ER> 8μm/min.， AR~30

金屬刻蝕機(jī)

0.35μm技術(shù)代設(shè)備

等離子體去膠機(jī)

  

Furnace

擴(kuò)散爐

Tube1：dry oxide：50A-2000A，<1150C
Tube2:   Wet oxide：500-10000A  ,<1150C
Tube3:   Alloy

多晶硅低壓化學(xué)氣相淀積

Tube1: LPPoly  Dep.   100A-6000A，均勻性<±3% 
Tube2:   Wet oxide：500-10000A  ,<1150C  
Tube3: Drive-in, <1150C                                                                               

IMP

超低能離子注入機(jī)

能量： 200ev~60Kev；Dose： 1E12~1E17；Tilt angle：0~60；注入不均勻性: <1.5(E<2Kev)

中束流離子注入機(jī)

能量：5Kev~250Kev；Dose：5E11~1E16；Tilt angle：  0~60；注入不均勻性:  <0.5%

RTA

硅化物熱退火系統(tǒng)

1.380-1200°C，
2.溫度精度<900°C，±1.5°C；>900°C，±3°C
3.溫度均勻性<5C,3sigma

超薄介質(zhì)生長及快速熱退火系統(tǒng)

Chm1. ISSG SiO2, 厚度范圍8A~200A
Chm2. 柵氧氮化：最薄膜厚8A, N concentration:  0.5-6E15 atom/cm^2
Chm3. 單片LPCVD Poly，400~800C，膜厚100~3000A，可自摻雜B，P
Chm4.spiking RTA：300-1200°C；±3°C； 最大升溫速率250 °C /S

等離子氮化系統(tǒng)

Chm1. 單片LP Poly Si，400~800C，膜厚100~3000A
Chm2. 單片LP SiN，400~850C，膜厚70~5000A
Chm3. HK氮化,DPN
Chm4.HK氮化后RTA

Module

設(shè)備名稱

主要工藝能力

CVD

等離子化學(xué)增強(qiáng)氣相淀積

Chm1. Tensile/Compress Stress SIN DEP:
   1.wafer TEMP <450 ℃
   2.Tensile SIN≧1.0 Gpa, Compressive SIN≧-2.2Gpa
Chm2. PE OX,SIN,SION HM cap:
   1.SIN RI 2.00 +/- 0.02 for 3000 A ,U%< 1.5 % 1 sigma
   2.SION RI 1.75 +/- 0.02 ,U%< 1.5 % 1 sigma
Chm3. HARP STI Ox, gap fill:
   1.gap fill ok,AR>5:1，space100nm

鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

1.thickness U% <3%, 1 sigma(3,000A film)
2. Gap fill >130nm hole,AR ratio>4:1

Epi

1. 外延生長純Si，SiGe
2. B,P doping in process

等離子化學(xué)增強(qiáng)氣相淀積改造

Chm1: PETEOS,膜厚 1,000-10,000 A, 沉積速率 >6,000  A/min 沉積溫度 400 C 薄膜均勻性 <1.5 %, 1 sigma,應(yīng)力 40～200 MPa
Chm2：PEBPTEOS，膜厚 1,000-10,000 A 沉積速率 >6,000  A/min 沉積溫度 480 C,B% range mean3+/-0.15,range<0.3 Wt%,P% range mean6.9+/-0.15,range<0.2 Wt%
Chm3：PESiN，PESiON，沉積速率 > 7000  A / min，沉積溫度 400 C，膜厚均勻性 Whin wafer <1.5 %, 1 sigma

ALD

HK材料原子層淀積設(shè)備

HK(HfO, La2O3，Al2O3.)原子層淀積，200~400C，5A~100A，科研型設(shè)備

MG材料原子層淀積設(shè)備

MG（TiN，TaN..)原子層淀積，5A~500A，科研型設(shè)備

介質(zhì)材料原子層淀積設(shè)備

介質(zhì)（SiN，SiO2）原子層淀積，5A~500A，科研型設(shè)備

PVD

電子束蒸發(fā)臺

a. 沉積材料：Al, Cr, Ti, Ni等。
b. 沉積速率： 1～15A/s
c. 膜厚度：500A~2μm

高k金屬柵濺射臺

有三個(gè)腔體，９個(gè)靶位，可實(shí)現(xiàn)兩靶及三靶共濺射，已實(shí)現(xiàn)沉積Ta，TaN，TaOx，Ti，TiN，TiOx，Hf，HfO2，Ge，Ni，NiPt，TiAl，TaALN，W，WN等多種薄膜的沉積
可實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射，生成氮化物或氧化物
均勻性<±3%
溫度～300℃

MEMS用金屬濺射臺

有七個(gè)工藝腔體，12個(gè)靶位，可實(shí)現(xiàn)，兩靶及三靶共濺射，已實(shí)現(xiàn)沉積ALN，Al，Ge，Mo，PZT，VOx　Ta，Ru，MgO,W,CoFeB,Co,Pt等多種薄膜的沉積。
可實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射，生成氮化物或氧化物
均勻性<±3%,個(gè)別可到~1%;
溫度～700C

互連與接觸濺射臺

Chm1. Ti, 膜厚范圍20A-5000A, 片內(nèi)均勻性 <5%，片間均勻性<5%
填孔性能bottom coverage>40%@0.13μm,AR 3.5:1,
Asymmetry<2.5:1，Overhang<25%
Chm2.TiN, 膜厚范圍20A-5000A, 片內(nèi)均勻性 <5%，片間均勻性<5%
填孔性能>70%@0.13 μm,AR 3.5:1, bottom coverage
Asymmetry<2.5:1，Overhang<15%
Chm3. Ni, NiPt膜厚范圍50A-1000A, 片內(nèi)均勻性 <3%,片間均勻性<3%
Chm4.Al, 膜厚范圍100A-3μm, 片內(nèi)均勻性 <3%，片間均勻性<3%

Module

設(shè)備名稱

主要工藝能力

WET

全自動清洗機(jī)

1. wafer 干進(jìn),干出；wafer 干燥方式為IPA dryer
2. 4個(gè)化學(xué)槽，4個(gè)清洗槽；
  SPM-HQDR / DHF-EDR / APM-QDR / HPM-QDR, IPA dryer；
3. 顆粒要求：size 0.2μm < 20顆；
4. DHF腐蝕SiO2均勻性 < 5%；

半自動濕法腐蝕機(jī)

 5個(gè)化學(xué)槽，5個(gè)清洗槽；
BOE1-EDR / BOE2-EDR / (EG-HF)-EDR / DHF-EDR / H3PO4-HQDR,  BOE

單片清洗/腐蝕機(jī)

1. wafer 干進(jìn),干出；
2. 3種化學(xué)藥劑；SC1 or dNH4OH / dHCL or SC2 / (dHF-HCL)

單片清洗/腐蝕機(jī)

1. wafer 干進(jìn),干出；
2. 3種化學(xué)藥劑；TMAH / Solvent / DHF-DI O3

單片清洗/腐蝕機(jī)

1. wafer 干進(jìn),干出；
2. 3種化學(xué)藥劑；d AR / SC1 / DSP+

單片清洗機(jī)

1. wafer 干進(jìn),干出；
2. 3種化學(xué)藥劑；dHF-HON3 / SC1

CMP

化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)

1）Dry in/Dry out
2）endpoint: STI CMP: R-TCM; POP CMP: R-OPM;
3）拋光均勻性：With in wafer: < 5%; Wafer to wafer: < 3%; Head to head: < 5%                                       

化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)

1）Dry in/Dry out
2）endpoint: Poly CMP: R-TCM
3）拋光均勻性：With in wafer: < 5%; Wafer to wafer: < 3%; Head to head: < 5% 

化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)

1）Dry in/Dry out
2）endpoint: metal gate and W: R-ECM
3）拋光均勻性：With in wafer: < 5%; Wafer to wafer: < 3%; Head to head: < 5%                                       

Metrology

應(yīng)力測試儀

1.不接觸的光掃描技術(shù);2.硅晶圓尺寸：75mm至200mm;3.薄膜壓力測量的范圍：1兆帕至4千兆帕;4.自動的光強(qiáng)調(diào)整;5.自動切換的雙光路波長;6.工作溫度范圍：室溫至500℃

方阻\CV測試儀

測試范圍：10Ω/sq to 10000Ω/sq；最小測量結(jié)深：5nm；準(zhǔn)確性：<3%

四探針測試儀

測試范圍：> 5 mΩ/sq. to < 5 MΩ/sq.           測試重復(fù)性：<0.2% (1σ)，測試準(zhǔn)確性：<1%

光學(xué)輪廓儀

垂直分辨率<0.1nm，RMS重復(fù)率：0.05nm，測試的臺階高度精確度0.8%，1σ重現(xiàn)性0.1%

臺階儀

測量重復(fù)性6？，1δ；最大掃描長度55mm；垂直測量范圍524μm

在線膜厚儀

單層及多層透明或半透明膜，反射及橢偏兩種模式

橢偏膜厚儀

單層及多層透明或半透明膜

線寬量測儀

1.最小分辨率：5nm及以下；
2.量測重復(fù)性：靜態(tài):2nm(3δ)/靜態(tài)(A/F 10):3nm(3δ)/動態(tài)(10 次):10nm(3δ)；
3.量測位置準(zhǔn)確性：±5μm；

套刻量測儀

  

AFM

  

掃描電鏡S4800

二次電子分辨率：1.0nm（15kV），1.4nm（1kV）   放大倍率：20倍-80萬倍

掃描電鏡S5500

二次電子分辨率：0.4nm（30kV），1.6nm（1kV）   放大倍率：60倍-200萬倍

電學(xué)測量儀Keithley4200-SCS

電壓<100V,電流精度PA

鍵合

設(shè)備名稱

主要工藝能力

8inch圓片鍵合

SUSS ABC200 Cluster Fusion Bonding

對準(zhǔn)精度≤0.2μm，濕法清洗、Plasma激活、IR檢測

SUSS ABC200 Cluster Eutectic Bonding

對準(zhǔn)精度≤3μm，鍵合溫度：室溫~500℃，溫度控制精度：±1℃，最大升溫速率：25℃/min，腔體壓力范圍：5mbar~3000mbar，最大鍵合力：20KN

EVG640&520IS

對準(zhǔn)精度≤5μm，鍵合溫度：室溫~550℃，溫度控制精度：±1℃，最大升溫速率：45℃/min，腔體壓力范圍：4mbar~2600mbar，最大鍵合力：75KN

紅外檢測

IR紅外顯微鏡

用于檢測蓋帽對準(zhǔn)精度與鍵合質(zhì)量

IR鍵合缺陷檢測儀

用于檢測擴(kuò)散鍵合質(zhì)量

吸氣劑濺射

LLS EVO Sputter

Ti、TiZrV、ZrCoRe薄膜

測試

設(shè)備名稱

主要工藝能力

晶圓級測試

晶圓級MEMS自動化測試系統(tǒng)

變溫真空探針臺測試，并且搭配黑體、激光測振儀等，可以實(shí)現(xiàn)紅外探測器、紅外焦平面和壓力傳感器（負(fù)壓）的測試，并且可精確測量MEMS器件的動態(tài)特性和形貌特性。

器件級測試

器件級MEMS智能化測試系統(tǒng)

紅外、加速度計(jì)、陀螺儀及壓力傳感器等器件性能測試

可靠性測試機(jī)失效分析

高溫老化試驗(yàn)箱

125℃或150℃下1000h

高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱

-40℃~150℃，40%~95%R.H或85℃/85R.H/額定偏壓

溫度循環(huán)試驗(yàn)箱

-65℃~150℃，平均升溫速率大于5℃/min

溫度沖擊試驗(yàn)箱

-40℃~150℃，三箱式

高壓蒸煮試驗(yàn)箱

121℃，100%R.H.2atm

振動臺

20Hz~5000Hz，0~100g

高加速沖擊臺

500g~10000g

后道

設(shè)備名稱

主要工藝能力

機(jī)械劃片

Disco DAD3650雙軸半自動機(jī)械劃片機(jī)

4inch~8inch晶圓劃片

倒裝焊

Tresky 3202半自動多功能倒裝焊機(jī)

貼裝精度優(yōu)于±5μm，支持貼裝芯片大小為0.2mm×0.2mm ~40mm ×40mm,可完成芯片癥狀與倒裝的熱壓、共晶貼裝

引線鍵合

HYBond 626半自動超聲引線鍵合機(jī)

集球焊、楔焊、金球、金柱、梁式引線等應(yīng)用為一體，Z軸鍵合頭可根據(jù)參數(shù)設(shè)定實(shí)現(xiàn)半自動作業(yè)

回流

ATV-SOR706真空回流爐

配備無油干泵及分子泵高真空系統(tǒng)，采用紅外石英管加熱，加熱面積達(dá)240mm×313mm，最高加熱溫度達(dá)500℃，控溫精度±0.5℃，極限真空達(dá)5×10-4Pa，溫度均一性優(yōu)于±3℃。爐腔帶有分區(qū)加熱功能，可在器件封帽前實(shí)現(xiàn)吸氣劑的激活，并可焊料要求提供惰性氣氛保護(hù)，如N2H2、甲酸等。

排氣

10工位的排氣臺

極限真空可達(dá)5×10-6Pa

檢漏

Varian VS MD30移動式檢漏儀

采用干式渦輪泵，最小檢測漏率：5×10-12atm.cc/s.

氣密封裝

SSEC 2400E平行封焊機(jī)和大族激光焊接機(jī)

多樣化氣密性封裝

附件：