中科院微電子所硅光子平臺現(xiàn)已對外提供包括無源器件和有源器件在內(nèi)的硅光子全流程工藝服務(wù),如圖1所示。目前,該平臺主要工藝模塊包括:220nm/150nm/70nm無源器件刻蝕工藝、高速調(diào)制器摻雜工藝、加熱器工藝、鍺材料外延工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬層工藝等,具體工藝見表1。每年可對外提供4-6次MPW流片服務(wù),具體流片時間安排可聯(lián)系我們獲取;同時為了滿足客戶對工藝的特殊要求,可提供定制服務(wù),具體服務(wù)方式見表2。

圖1 中科院微電子所硅光子平臺
表1 硅光子平臺工藝模塊

表2硅光子平臺服務(wù)方式
|
MPW流片服務(wù) |
客戶定制服務(wù) |
|
最小block面積:7.9mm × 2.8mm 最小線寬/間距:180 nm 8英寸晶圓 每批次block數(shù)量:8/16/32 接收文件:GDSII 可提供PDK |
流程如下: 客戶需求確認(rèn)--工藝可行性評估--合同簽訂--工藝制造--產(chǎn)品交付 |
硅光子平臺