集成電路先進(jìn)工藝

22 nm/14 nm HKMG全流程（N或P）

阻變存儲(chǔ)器后端集成

硅基光子集成

180nm 光刻

220/50/150 nm三級(jí)刻蝕

MPW/客戶定制

波導(dǎo)、光柵、MMI等無源器件

加熱器模塊

調(diào)制器與Ge/Si探測器

硅基MEMS集成

雙面光刻

深硅刻蝕

深孔填充

晶圓級(jí)鍵合

VHF&XeF腐蝕釋放

低應(yīng)力LPCVD Si₃N₄

PVD AlN、VOX、Ge薄膜沉積

生物芯片

透明襯底圖形化

多孔懸空薄膜

特種晶圓

8吋TSGOI晶圓

8吋Ge外延晶圓

8吋GaAs、InGaP外延經(jīng)驗(yàn)

8吋Si_xGe_y外延晶圓

技術(shù)實(shí)訓(xùn)

實(shí)訓(xùn)內(nèi)容：技術(shù)理論+現(xiàn)場觀摩；初、中、高階課程

實(shí)訓(xùn)特點(diǎn)：真實(shí)工業(yè)環(huán)境先的現(xiàn)場操作

實(shí)訓(xùn)對象：高校、科研院所及企業(yè)

實(shí)訓(xùn)機(jī)臺(tái)：101臺(tái)套

實(shí)訓(xùn)機(jī)時(shí)：95200小時(shí)/年

裝備和材料驗(yàn)證

國產(chǎn)裝備：8家，共17臺(tái)套

國產(chǎn)材料：11家，共28種

工藝驗(yàn)證：80余項(xiàng)

菜單開發(fā)：300余條

服務(wù)流程