近日，中國科學(xué)院微電子研究所研究員Henry Radamson和副研究員王桂磊在先導(dǎo)中心8英寸平臺(tái)上成功制造絕緣體上張應(yīng)變鍺（TSGOI）晶圓。該項(xiàng)技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)了工藝過程中對(duì)Ge的誘導(dǎo)應(yīng)變微調(diào)，使Ge的帶隙改變?yōu)?.7eV。以此類Ge襯底制備的PMOS器件實(shí)現(xiàn)了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。這一成果為微電子學(xué)和光子學(xué)的單片集成提供了新的路徑和解決方案。

 TSGOI晶圓的俯視圖及其橫截面