近日，國際標準化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中一項國際標準“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”，該標準由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院和微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心丁澤軍團隊主導(dǎo)制定，是半導(dǎo)體線寬測量方面的首個國際標準，也是半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域由中國主導(dǎo)制定的首個國際標準，該標準的發(fā)布有助于促進半導(dǎo)體評測技術(shù)的發(fā)展，并提升我國在半導(dǎo)體行業(yè)的國際影響力和競爭力。

　　半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展對集成電路器件加工尺寸的控制要求日趨精細。芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸被稱為關(guān)鍵尺寸，其大小代表了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性水平。對關(guān)鍵尺寸測量也可稱為納米尺度線寬測量，目前半導(dǎo)體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10納米以下，其測量的精準性直接決定著器件的性能。納米器件尺度的準確和精確（精度<1納米）測量技術(shù)對半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。

　　丁澤軍團隊長期從事電子束與材料相互作用領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究，發(fā)展了目前國際上最為先進的用于掃描電子顯微術(shù)和表面電子能譜學(xué)的Monte Carlo模擬計算方法，他們結(jié)合“基于模型數(shù)據(jù)庫”方法，提出了該“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”的ISO國際標準。與傳統(tǒng)經(jīng)驗閾值方法相比，該測量方法能夠給出準確的關(guān)鍵尺寸值，并且把線寬測量從單一參數(shù)擴展到包含結(jié)構(gòu)形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10納米的單個孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導(dǎo)體刻蝕線寬的基于關(guān)鍵尺寸掃描電鏡的準確評測確定了行業(yè)標準，也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。