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上海技術(shù)物理研究所等實現(xiàn)微器件隨心所畫按需定制

稿件來源:中國科學報 黃辛 責任編輯:ICAC 發(fā)布時間:2020-02-10
圖片說明:覆蓋有鐵電薄膜的半導體器件 (中科院上海技術(shù)物理研究所 供圖  鄭瑩瑩 攝)
  中科院上海技術(shù)物理研究所王建祿研究員課題組與復旦大學、華東師范大學、南京大學和中科院微電子所等多個課題組合作,基于具有極化特征的鐵電薄膜材料,通過納米探針調(diào)控薄膜的極化方向,對低維半導體的導電行為調(diào)控,實現(xiàn)多種新型光電功能器件與準非易失存儲器制備。該研究成果論文近日發(fā)表于《自然—電子學》。

  半導體微器件支撐的電子及光電子技術(shù)已廣泛應用于現(xiàn)代生活,而從器件到系統(tǒng)的集成仍然需要很多復雜技術(shù)與繁瑣流程,很難快速響應緊迫需求。

  “如果能夠利用簡單的工藝按需實現(xiàn)基本的光電子、電子器件的功能,顯然會更好更快地促進技術(shù)發(fā)展與迭代。”該論文通訊作者王建祿告訴《中國科學報》,他們基于新型材料的微納光電、電子器件制備方法,利用極化控制薄膜層實現(xiàn)無模板器件制備,針對器件的實際需求自如操控圖形。

  他進一步解釋說,“這層具有極性的鐵電薄膜就像一張納米厚度神奇畫布,納米探針類似于畫筆,運用納米畫筆可以在畫布上任意作畫,而且畫布還可以反復擦寫,畫作也就是各類微納器件,這種方法給制備微納器件提供了豐富想象力。”

  據(jù)介紹,依靠這種新技術(shù)研制的光電探測器響應率從每瓦4.8毫安提高至每瓦1500毫安,提高了近300倍;準非易失存儲器的保持時間從10秒提高到100秒以上。

  王建祿表示,這一整套按需“繪制”、隨心所“畫”的器件設計制備新技術(shù),極大地簡化了半導體工藝過程,為未來芯片技術(shù)提供了新途徑。

  (原載于《中國科學報》 2020-02-10 第4版 綜合)

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