記者11月10日從中國科學院金屬研究所獲悉，該所沈陽材料科學國家研究中心先進炭材料研究部科研人員首次制備出以肖特基結作為發射結的垂直結構晶體管“硅-石墨烯-鍺晶體管”，成功將石墨烯基區晶體管的延遲時間縮短了1000倍以上，并將其截止頻率由兆赫茲提升至吉赫茲領域。相關成果已于近日在線發表于國際學術期刊《自然·通訊》。

　　據該成果論文的通訊作者、中科院金屬所研究員孫東明介紹，這一研究工作提升了石墨烯基區晶體管的性能，未來將有望在太赫茲領域的高速器件中應用，為最終實現超高速晶體管奠定了基礎。

　　1947年，第一個雙極結型晶體管誕生于美國貝爾實驗室，引領人類社會進入信息技術的新篇章。在過去的幾十年里，提高雙極結型晶體管的工作頻率，成為科學界的不懈追求，異質結雙極型晶體管和熱電子晶體管等高速器件相繼被研究報道。然而，當需要進一步提高頻率時，這些器件遭遇了瓶頸。異質結雙極型晶體管的截止頻率，最終被基區渡越時間所限制，而熱電子晶體管的發展，則受限于無孔、低阻的超薄金屬基區的制備難題。

　　“目前已報道的石墨烯基區晶體管，普遍采用隧穿發射結，然而隧穿發射結的勢壘高度，嚴重限制了該晶體管作為高速電子器件的發展前景。”此次成果論文的第一作者、中科院金屬所副研究員劉馳表示，科研人員提出了半導體薄膜和石墨烯轉移工藝，首次制備出如今這一成果。

　　據劉馳介紹，與已報道的隧穿發射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現出目前最大的開態電流和最小的發射結電容，從而得到最短的發射結充電時間，使器件總延遲時間縮短了1000倍以上，可將器件的截止頻率由約1.0兆赫茲提升至1.2吉赫茲。劉馳說，通過基于實驗數據的建模，科研人員進一步發現，該器件具備在太赫茲領域工作的潛力，而這對于未來的晶體管研制具有十分重要的意義。

　　（原載于《中國青年報》 2019-11-11 04版）