2018年9月28日，由中國科學(xué)院集成電路創(chuàng)新研究院（籌）工藝總體部策劃并組織的“集成電路先導(dǎo)技術(shù)——器件工藝” 研討會，在中科院微電子所成功舉辦。本次會議以探索下一代集成電路先導(dǎo)技術(shù)為目標(biāo)，邀請到國內(nèi)不同領(lǐng)域內(nèi)的多位知名學(xué)者與工程技術(shù)專家參加，針對“延續(xù)摩爾定律的納米CMOS新器件與新技術(shù)”和“后摩爾時代新材料與新原理器件研究”兩個主題開展了學(xué)術(shù)報告與圓桌討論。中科院微電子研究所所長、創(chuàng)新研究院籌建組長葉甜春出席會議并致辭，科技處處長李平出席。所長助理、先導(dǎo)中心主任王文武、副主任殷華湘、李俊峰、謝玲、楊濤以及所內(nèi)多位科研股干參會，研討會分別由殷華湘研究員和吳振華研究員主持兩個會場。 

　　清華大學(xué)錢鶴教授、北京大學(xué)黎明研究員、復(fù)旦大學(xué)孫清清教授、西安電子科技大學(xué)韓根全教授、浙江大學(xué)趙毅教授、中科院微系統(tǒng)所朱敏副研究員和中科院物理所杜世萱研究員、中科院半導(dǎo)體所趙建華研究員、北京大學(xué)張志勇教授、復(fù)旦大學(xué)包文中教授、中國科技大學(xué)汪喜林研究員分別參與了兩個主題研討并作了精彩的學(xué)術(shù)報告。中芯國際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的卜偉海總監(jiān)、王文博經(jīng)理特邀出席了本次研討會。 

　　在“延續(xù)摩爾定律的納米CMOS新器件與新技術(shù)”主題研討會上，殷華湘研究員首先闡述了本次會議背景，并簡要介紹了中科院微電子研究所的歷史、架構(gòu)、人才培養(yǎng)、科研方向和研究成果；中國科學(xué)院集成電路創(chuàng)新研究院（籌）籌建思路、未來規(guī)劃和任務(wù)使命；著重闡述了器件工藝技術(shù)研發(fā)方向、未來研究趨勢及本次研討會所要進(jìn)行學(xué)術(shù)交流和討論的主題。錢鶴教授作了“RRAM在存算融合的應(yīng)用”報告，他闡述了開發(fā)存算融合AI芯片的重要性，從器件的角度，分析了實(shí)現(xiàn)存算的難點(diǎn)，分享了目前的研究進(jìn)展和對未來研發(fā)方向的展望。黎明研究員分享了硅基圍柵納米線集成及應(yīng)用的相關(guān)內(nèi)容，分析了圍柵納米線包括結(jié)構(gòu)形成、納米線形貌控制、多閾值調(diào)控等集成關(guān)鍵工藝，并指出了集成應(yīng)用中面臨的包括隨機(jī)漲落、GIDL靜態(tài)功耗以及熱電偶合等挑戰(zhàn)。孫清清教授作了“半浮柵晶體管及其芯片集成技術(shù)”報告，介紹了在半浮柵晶體管實(shí)用化方面做的工作，并指出其在存儲、處理器以及傳感器多方面應(yīng)用的可能性。韓根全教授作了“High Mobility MOSFET and Beyond CMOS”報告，分析了采用新材料、新結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低功耗集成電路的方向，具體分析了包括提高溝道遷移率的溝道工程方面、鍺材料的p型晶體管的研究工作，并對具有超陡亞閾值的負(fù)電容晶體管進(jìn)行了具體介紹。趙毅教授作了“面向7nm及其以后技術(shù)代應(yīng)用的SiGe/Ge器件技術(shù)”報告，分析了應(yīng)用于SiGe/Ge器件的包括臭氧后氧化、二維材料鈍化表面以及Ge基存算結(jié)合的先進(jìn)工藝，介紹了基于Ge-MOSFET有效質(zhì)量、缺陷表征方面的測試表征工作。朱敏副研究員分享了高速低功耗相變存儲材料與機(jī)理研究的工作。他指出相變存儲器具有非易失性、高密度、多級存儲以及CMOS工藝兼容性好的優(yōu)勢，分析了相變存儲器的研究現(xiàn)狀，并介紹了基于Ti-Sb-Te材料的相變存儲器的工作和展現(xiàn)出的優(yōu)異性能。 

　　 在“后摩爾時代新材料與新原理器件研究”主題研討會上，吳振華研究員介紹會議背景與會議主題。杜世萱研究員作了“基于石墨烯/硅烯二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的整流器件的設(shè)計(jì)與構(gòu)筑”的報告，從理論和實(shí)驗(yàn)的角度分析和介紹了一種利用硅原子插層的方式成功構(gòu)筑的具有晶圓尺寸、高質(zhì)量、大氣下穩(wěn)定特征并具有整流效應(yīng)的石墨烯/硅烯二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)。趙建華研究員作了“關(guān)于低維窄禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)”的報告，介紹了利用分子束外延技術(shù)，采用“自下而上”的方法，在制備高質(zhì)量窄禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)方面取得的一系列進(jìn)展，為新型納米器件方面的研究提供了新的方向。張志勇教授分析了關(guān)于碳納米管晶體管的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)，介紹了半導(dǎo)體碳納米管的特性和在半導(dǎo)體器件上的巨大應(yīng)用價值，探討了碳管CMOS晶體管的規(guī)模集成方法，并分享了在構(gòu)建基于碳納米管的復(fù)雜集成電路方面的工作。包文中教授作了“關(guān)于二維半導(dǎo)體材料的微電子器件研究”的報告,分析了目前二維半導(dǎo)體材料在材料生長、器件制備等方面面臨的問題和挑戰(zhàn)，介紹了一系列在實(shí)現(xiàn)材料制備、器件工藝和集成優(yōu)化的有機(jī)結(jié)合方面的工作，為探索二維半導(dǎo)體材料在信息器件領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用提供了思路。汪喜林研究員作了“光量子信息處理新進(jìn)展”的報告。他從光子的基本量子特性出發(fā)，具體分析了光量子技術(shù)在量子通信和量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用，介紹了光量子信息技術(shù)的最新進(jìn)展及發(fā)展前景。 

　　報告結(jié)束后，專家們還進(jìn)行了技術(shù)研討與交流，就一些面向未來集成電路創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)問題進(jìn)行了深入而具體地討論，并對未來可能的合作方向作出了展望，為今后的產(chǎn)學(xué)研合作發(fā)展新一代集成電路先導(dǎo)技術(shù)提供了有價值的思路和方向。 

參會嘉賓合影

葉甜春所長致辭 

109會場殷華湘歡迎致辭及會議主持 

215會場吳振華歡迎致辭及會議主持 　　  

邀請嘉賓報告（錢鶴教授、黎明教授、孫清清教授、韓根全教授、趙毅教授、朱敏副研究員） 

邀請嘉賓報告（杜世萱研究員、趙建華研究員、張志勇教授、包文中教授、汪喜林研究員）