將兩種具有特殊電學(xué)特性的材料(單層超導(dǎo)體和拓撲絕緣體)結(jié)合起來的新方法,為探索拓撲超導(dǎo)這種不尋常形式提供了迄今為止的最佳平臺。美國賓夕法尼亞大學(xué)研究人員在近日《自然·材料》雜志發(fā)表的一篇論文中描述了如何將這兩種材料“配對”。這種組合為拓撲量子計算機提供比傳統(tǒng)計算機更穩(wěn)定的基礎(chǔ)。
超導(dǎo)體允許電流在沒有阻力的情況下通過,而拓撲絕緣體是只有幾個原子厚的薄膜,可限制電子向其邊緣移動,從而產(chǎn)生獨特的特性。
在這項研究中,研究人員使用了分子束外延技術(shù)來合成拓撲絕緣體和超導(dǎo)薄膜,并創(chuàng)建了一個二維異質(zhì)結(jié)構(gòu),這是探索拓撲超導(dǎo)現(xiàn)象的絕佳平臺。在先前結(jié)合這兩種材料的實驗中,一旦拓撲絕緣層在頂部生長,薄膜中的超導(dǎo)性通常會消失。在實驗室中,物理學(xué)家可將拓撲絕緣體薄膜添加到三維“體”超導(dǎo)體上,并保留這兩種材料的特性。但拓撲超導(dǎo)體的應(yīng)用,例如量子計算機或智能手機中的低功耗芯片,需要的是二維產(chǎn)品。
在最新研究中,團隊在單層二硒化鈮制成的超導(dǎo)薄膜上堆疊了不同厚度的硒化鉍制成的拓撲絕緣體薄膜,得到了最終的二維產(chǎn)品。通過在非常低的溫度下合成異質(zhì)結(jié)構(gòu),團隊能夠同時保留其拓撲和超導(dǎo)特性。
巧妙地調(diào)整拓撲絕緣體的厚度后,研究人員發(fā)現(xiàn)異質(zhì)結(jié)構(gòu)從伊辛型超導(dǎo)(電子自旋垂直于薄膜)轉(zhuǎn)變?yōu)槔舶托统瑢?dǎo)(電子自旋與薄膜平行),研究人員在理論計算和模擬中也觀察到了這種現(xiàn)象。這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)也可能是探索馬約拉納費米子的重要途徑。馬約拉納費米子是一種難以捉摸的粒子,在使拓撲量子計算機比其前輩更穩(wěn)定的道路上,馬約拉納費米子將是一個關(guān)鍵因素。
研究人員表示,他們將在后續(xù)工作中找到拓撲超導(dǎo)的證據(jù),而一旦獲得了拓撲超導(dǎo)性的確鑿證據(jù)并證明了馬約拉納物理學(xué),那么這種類型的系統(tǒng)就可適用于量子計算和其他應(yīng)用。
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