光刻機是半導體行業的明珠，美國希望在這個領域牢牢掌握主動權，因此對中俄等均進行嚴格的限制和制裁，中國一直沒有最先進的EUV光刻機，最近格科微引進的先進ArF光刻機也只是DUV的一種。而在俄烏沖突之際，昨天，美國更是對俄羅斯最大的芯片企業Mikron進行全方位制裁。近日，有消息稱：俄羅斯將研發當前全球最先進的EUV光刻機，或許比ASML的EUV光刻機性能更先進。

　　據報道，俄羅斯莫斯科電子技術學院 (MIET)承接了貿工部開發制造芯片的光刻機項目，該項目由俄羅斯政府首期投資6.7億盧布資金（約合5100萬元人民幣）。研發的光刻機計劃達到EUV級別，但技術原理完全不同，是基于同步加速器和/或等離子體源”的無掩模X射線光刻機。

　　“MIET已經在無掩模EUV光刻領域取得了進展，包括與國內其他科研機構和科學家團體聯合開展的研究。該項目還將涉及 Zelenograd 公司 ESTO 和 Zelenograd 同步加速器，現在是國家研究中心庫爾恰托夫研究所的技術儲存綜合體 (TNK) Zelenograd。

　　“基于在該國運行和發射的同步加速器，特別是在 TNK Zelenograd 的同步加速器以及國內等離子源的基礎上，創造技術和設備，將使處理具有設計標準的半導體晶片成為可能28 nm、16 nm 及以下，”聲明說。招標文件包含這項研究工作（研發）的要求。“無掩模X射線納米光刻技術和正在開發的設備在國內和世界上都沒有類似物。”

　　工貿部與 MIET 簽訂的合同價格為 6.7 億盧布。

　　“我們談論的是長期的研發工作，從好的方面來說，這應該在 15 年前就開始了，”關于這個項目的 Stimulus 雜志出版物的作者 Alexander Mechanik說。”

　　俄羅斯光刻機技術

　　目前，EUV光刻機全球只有ASML公司能夠研發、生產，但它的技術限制也很多，俄羅斯計劃開發全新的EUV光刻機，使用的將是X射線技術，不需要光掩模就能生產芯片。

　　光刻機的架構及技術很復雜，不過決定光刻機分辨率的主要因素就是三點，分別是常數K、光源波長及物鏡的數值孔徑，波長越短，分辨率就越高，現在的EUV光刻機使用的是極紫外光EUV，波長13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進工藝工藝。　　

　　技術優勢

　　X射線光刻機使用的是X射線，波長介于0.01nm到10nm之間，比EUV極紫外光還要短，因此光刻分辨率要高很多。

　　此外，X射線光刻機相比現在的EUV光刻機還有一個優勢，那就是不需要光掩模版，可以直寫光刻，這也節省了一大筆費用。

　　正因為有這么兩個特點，俄羅斯要研發的X射線光刻機優勢很大，甚至被當地的媒體宣傳為全球都沒有的光刻機，ASML也做不到。

　　從相關資料來看，全球確實沒有能達到規模量產的X射線光刻機，不過這種技術并不是現在才有，不僅美國、歐洲研究過，國內也有科研機構做了X射線光刻機，只是生產芯片的效率跟ASML的光刻機不能比的，只適合特定場景。

　　不過俄羅斯在X射線及等離子之類的技術上有著深厚的基礎。

　　俄羅斯研發EUV的成功概率有多大？

　　俄羅斯的半導體芯片產業并不發達，但是并不代表俄羅斯的科技能力差。眾所周知，俄羅斯擁有全世界最頂尖的數學人才，華為俄羅斯研發中心都聘請了數名頂尖俄羅斯數學家，坊間盛傳當年華為3G技術的突破就是得益于一位俄羅斯數學家“小哥”的SingleRAN 算法。

　　因此，盡管業界并不看好俄羅斯研發EUV光刻機的前景，但有著豐富技術人才的俄羅斯并不是不可能，況且，俄羅斯真金白銀投資6.7億盧布資金（約合5100萬元人民幣），對于發達國家來說雖然很少，但首期投入這么多資金，對于俄羅斯的薪資水平和試驗設備來說是不低的。

　　同時，筆者Challey認為，如果俄羅斯真的投入研發，很多其他國家，譬如中國，或許會加入俄羅斯的EUV光刻機研發之中，以打破歐美對于最先進芯片技術的壟斷。

　　但是，另一方面，據估計，自俄烏沖突以來，有多達7萬名計算機專家被突然出現的商業和政治氣候的冰霜所嚇倒并離開了俄羅斯。

　　或許，俄羅斯未來需要擔心的不是資金，而是人才能不能回流。

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