近年來，隨著晶體管的物理尺寸進入納米尺度，電子遷移率降低、漏電流增大、靜態(tài)功耗增大等短溝道效應(yīng)越來越嚴(yán)重，新結(jié)構(gòu)和新材料的開發(fā)迫在眉睫。在極短柵長晶體管方面，學(xué)術(shù)界此前作出了很多探索。2016年，美國勞倫斯·伯克利國家實驗室和斯坦福大學(xué)在《科學(xué)》報道了基于金屬性碳納米管材料實現(xiàn)了物理柵長為1納米的平面硫化鉬晶體管。

　　為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸，任天令研究團隊利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極，通過石墨烯側(cè)向電場控制垂直的二硫化鉬溝道的開關(guān)，使等效的物理柵長度降為0.34納米，然后通過在石墨烯表面沉積金屬鋁并使其自然氧化，完成了對石墨烯垂直方向電場的屏蔽。此后，科研人員使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質(zhì)、化學(xué)氣相沉積的單層二維二硫化鉬作為溝道，最終完成了具有亞1納米柵極長度的晶體管。

　　研究發(fā)現(xiàn)，相較于體硅材料，單層二維二硫化鉬具有更大的有效電子質(zhì)量和更低的介電常數(shù)。在亞1納米物理柵長的控制下，晶體管能有效開啟、關(guān)閉，其關(guān)態(tài)電流在pA量級。

　　基于工藝計算機輔助設(shè)計的仿真結(jié)果進一步表明石墨烯邊緣電場對垂直二硫化鉬溝道的有效調(diào)控，預(yù)測了在同時縮短溝道長度條件下晶體管的電學(xué)性能情況。研究人員表示，這項工作推動了摩爾定律進一步發(fā)展到亞1納米級別，同時為二維薄膜在未來集成電路的應(yīng)用提供了參考依據(jù)。

　　相關(guān)論文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-021-04323-3