具有高熱導(dǎo)率和電子空穴遷移率的半導(dǎo)體對(duì)于電子和光子器件以及基礎(chǔ)研究具有重要意義。在超高導(dǎo)熱性材料中，立方砷化硼（c-BAs）預(yù)計(jì)同時(shí)表現(xiàn)出大于1000 cm²V^-1s^-1的高電子和空穴遷移率。使用光學(xué)瞬態(tài)光柵技術(shù)，在c-BAs樣品的相同位置但存在空間變化，室溫下實(shí)驗(yàn)測(cè)量了1200Wm^-1K^-1的熱導(dǎo)率和1600 cm²V^-1s^-1的雙極遷移率。從頭計(jì)算法表明，降低電離和中性雜質(zhì)濃度分別是實(shí)現(xiàn)高遷移率和高熱傳導(dǎo)率的關(guān)鍵。高雙極遷移率加上超高導(dǎo)熱率，使c-BAs成為下一代電子產(chǎn)品的潛在候選產(chǎn)品。

　　研究人員稱，立方砷化硼可能是迄今為止業(yè)界已發(fā)現(xiàn)的各項(xiàng)性能最好的半導(dǎo)體材料。當(dāng)然，立方砷化硼作為一種最新發(fā)現(xiàn)的材料，它的長(zhǎng)期穩(wěn)定性等其他性能還有待進(jìn)一步測(cè)試。據(jù)悉，到目前為止，立方砷化硼只在實(shí)驗(yàn)室規(guī)模進(jìn)行了制造和測(cè)試，這些產(chǎn)品并不均勻，還需要更多的工作來(lái)確定能否以實(shí)用并經(jīng)濟(jì)的形式制造立方砷化硼。