雖然太赫茲技術(shù)具有優(yōu)越的波譜特性和廣泛的應(yīng)用前景，但其工程應(yīng)用還嚴重受制于太赫茲材料與太赫茲元器件的開發(fā)。其中，圍繞智能化場景應(yīng)用，采用外場對太赫茲波進行主動、智能化的控制是這一領(lǐng)域的重要研究方向。

　　瞄準太赫茲核心元器件這一前沿研究方向，研究團隊在發(fā)明了基于二維材料石墨烯的太赫茲應(yīng)力調(diào)制器【Adv. Optical Mater. 6, 1700877(2018)】、基于強關(guān)聯(lián)氧化物的太赫茲寬帶光控調(diào)制器【ACS Appl. Mater. Inter. 12, 48811(2020)】和基于聲子的新型單頻磁控太赫茲源【Advanced Science 9, 2103229(2021)】之后，選擇關(guān)聯(lián)電子氧化物二氧化釩薄膜作為功能層，采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計和電控方法，實現(xiàn)了太赫茲透射、反射和吸收多功能主動調(diào)制（圖a）。研究結(jié)果表明，除了透射率和吸收率，反射率和反射相位也可被電場主動調(diào)控，其中反射率調(diào)制深度可以達到99.9%、反射相位可達~180o調(diào)制（圖b）。更為有趣的是，為了實現(xiàn)智能化的太赫茲電控，研究人員設(shè)計了一種具有新型“太赫茲-電-太赫茲”的反饋回路的器件（圖c）。不管起始條件和外界環(huán)境如何變化，該智能器件可以在30秒左右自動達到太赫茲的設(shè)定（預期）調(diào)制值。

　　這一基于關(guān)聯(lián)電子材料的主動、智能化太赫茲電光調(diào)制器的研發(fā)為太赫茲智能化控制的實現(xiàn)提供了新的思路。該工作獲得國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、強磁場安徽省實驗室方向基金的支持。

　　論文鏈接 

　　（a）基于VO₂的電光調(diào)制器示意圖（b）透射率、反射率、吸收率和反射相位隨外加電流變化（c）智能化控制原理圖