據(jù)歐洲電子資訊4月18日?qǐng)?bào)道，英特爾已在其位于俄勒岡州希爾斯伯勒的D1工廠與歐洲研究團(tuán)隊(duì)Qtech（代爾夫特技術(shù)大學(xué)（TU-DFT）和荷蘭應(yīng)用科學(xué)研究組織（TNO）的合作組織）合作制造“硅量子比特”。這是該工廠首次大規(guī)模制造量子比特。英特爾稱，該公司可以生產(chǎn)超過1萬個(gè)具有多個(gè)硅量子位的陣列，同時(shí)晶圓良率達(dá)到95%或更高。
量子點(diǎn)位于Si/SiO2界面，允許良好的隧道勢(shì)壘控制，這是容錯(cuò)雙量子比特門的關(guān)鍵特性。在少電子區(qū)使用磁共振的單自旋量子比特操作顯示弛豫時(shí)間在1T超過1s和相干時(shí)間超過3ms。
這項(xiàng)研究發(fā)表在《自然電子》（Nature Electronics）雜志上，是英特爾首次通過同行評(píng)審證明在300毫米硅上成功制造量子比特的研究。
該工藝使用全光光刻技術(shù)生產(chǎn)硅自旋量子比特，與生產(chǎn)英特爾CMOS芯片的設(shè)備相同。這是量子處理器向前邁出的關(guān)鍵一步，表明量子比特最終有可能在同一工業(yè)制造設(shè)施中與傳統(tǒng)芯片一起生產(chǎn)。
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