磁性半金屬(half metal)是一類重要的自旋電子學(xué)材料,具有獨(dú)特的能帶結(jié)構(gòu)。其中一種自旋取向(如自旋向上)的電子打開能隙,不參與導(dǎo)電;而另一種自旋取向(如自旋向下)的電子穿過費(fèi)米面,參與導(dǎo)電。因此,理論上半金屬具有100%自旋極化的載流子,在先進(jìn)磁記錄、磁存儲、高效磁傳感器、自旋發(fā)光二極管等諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。要實(shí)現(xiàn)半金屬的應(yīng)用,一方面需要材料具有室溫以上的居里溫度(TC);另一方面為防止熱激活效應(yīng)激發(fā)禁帶載流子降低極化率,需要具有寬的半金屬帶隙(> 1.5 eV);此外,為提高自旋注入率,需要較大的飽和磁矩。然而,目前已有的半金屬難以同時滿足上述要求,研制綜合性能優(yōu)越的半金屬材料是一個重大挑戰(zhàn)。
近日,中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心磁學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗室M08組研究員龍有文團(tuán)隊利用高壓高溫手段成功制備了一種兼具高磁相變溫度TC、寬自旋帶隙Eg (2.3 eV)以及大飽和磁矩MN (8.0μB/f.u.)的鈣鈦礦半金屬LaCu3Fe2Re2O12(LCFRO),該材料具有優(yōu)異的綜合性能,特別是其TC高達(dá)710 K,是目前鈣鈦礦體系中TC最高的半金屬,具有良好的應(yīng)用前景。
在前期研究中,該團(tuán)隊利用高壓高溫手段獲得了新型鈣鈦礦物材料LaCu3Co2Re2O12。該材料具有寬的自旋帶隙(1.9 eV)、近100%的B位有序度以及比同類材料更大的低場磁電阻,但遺憾的是TC在室溫以下。為了進(jìn)一步提高半金屬材料的TC,改善其綜合性能,基于海森堡模型
,該團(tuán)隊將B位的Co2+離子替換成具有更多未配對電子的Fe3+離子,發(fā)揮高壓高溫合成優(yōu)勢,在9 GPa和1273 K的條件下成功制備了A位和B位同時高度有序的四重鈣鈦礦LaCu3Fe2Re2O12。通過XRD、磁學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)以及同步輻射X光吸收譜與磁圓二色譜等一系列結(jié)構(gòu)表征與綜合物性測試,同時與物理所研究員楊義峰團(tuán)隊合作,結(jié)合第一性原理計算,對LCFRO進(jìn)行了詳細(xì)研究。測試結(jié)果表明,LCFRO的電荷組態(tài)為LaCu2+3Fe3+2Re4.5+2O12,具有Cu2+(↑)-Fe3+(↑)-Re4.5+(↓)亞鐵磁的自旋排列方式,其TC高達(dá)710 K,而在2 K,7 T條件下每個分子式具有8.0 μB的大飽和磁矩。電輸運(yùn)測試與比熱測試結(jié)果表明LCFRO具有巡游電子特征。此外,該材料“butterfly”型的磁電阻行為,預(yù)示著其自旋極化載流子源于多晶樣品間的隧穿效應(yīng),與很多鈣鈦礦磁性半金屬類似。進(jìn)一步,通過第一性原理計算,發(fā)現(xiàn)LCFRO自旋向上的能帶表現(xiàn)出絕緣體行為,帶隙高達(dá)2.3 eV;而自旋向下的能帶則表現(xiàn)出金屬行為,費(fèi)米能級EF附近態(tài)密度主要由Re離子貢獻(xiàn)。并且,理論計算中當(dāng)改變Ueff的大小時,并不改變LCFRO的半金屬本質(zhì),只是能帶具體形貌和帶隙數(shù)值有輕微的變化。因此,實(shí)驗與理論均證明了LCFRO的半金屬性。如果定義半金屬綜合性能指標(biāo)參數(shù) α = TC × Eg × MN進(jìn)行比較時,發(fā)現(xiàn)在所有TC大于室溫的氧化物半金屬材料中,LaCu3Fe2Re2O12具有最高的綜合性能指標(biāo)。
該材料的制備與研究提供了一個高性能磁性半金屬的范例,為探索具有實(shí)際應(yīng)用前景的半金屬材料提供了新的思路。相關(guān)成果以Realization of a Half Metal with a Record-High Curie Temperature in Perovskite Oxides為題在線發(fā)表在Advanced Materials上。
該工作獲得了科學(xué)技術(shù)部、國家自然科學(xué)基金委、北京市自然科學(xué)基金委、中科院、國家博士后創(chuàng)新人才支持計劃等項目的資助。
圖1 新型A、B位有序四重鈣鈦礦LaCu3Fe2Re2O12的XRD精修圖和晶體結(jié)構(gòu)示意圖
圖2 LaCu3Fe2Re2O12的磁性隨溫度和外磁場的變化關(guān)系
圖3 利用第一性原理計算得到的LaCu3Fe2Re2O12能帶結(jié)構(gòu)圖
圖4 TC大于室溫的氧化物半金屬材料綜合性能指標(biāo)α對比圖
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