氧化鎵比碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）具有更大的帶隙能量，由這種材料制成的晶體管和二極管具有優(yōu)異的功率器件特性，例如高擊穿電壓、高輸出和高效率（低損耗）。2021年6月16日，NCT公司宣布采用HVPE方法成功實現(xiàn)了氧化鎵4 英寸 (100mm) 晶圓量產(chǎn)。

　　盡管基于HVPE方法的原材料成本較低，并且提供了高純度的沉積，但目前的設(shè)備只能制造小直徑（2英寸或4英寸）的單晶圓。為了降低HVPE方法的外延沉積成本，需要能批量生產(chǎn)大直徑（6英寸或8英寸）晶圓的設(shè)備。

　　在NEDO的戰(zhàn)略節(jié)能技術(shù)創(chuàng)新項目“大直徑、批量生產(chǎn)下一代氧化鎵電力器件”中，NCT公司不僅開發(fā)了用于大批量生產(chǎn)氧化鎵晶圓和氧化鎵薄膜的外延沉積設(shè)備，還開發(fā)了金屬氯化物（HVPE方法的原材料）的外部供應(yīng)技術(shù)，并建立和評估了6英寸單晶圓HVPE設(shè)備。NCT公司的最新成果將克服氧化鎵外延沉積的高成本問題，并極大地推動大直徑晶圓批量生產(chǎn)設(shè)備的發(fā)展。NCT公司計劃到2024年將氧化鎵外延沉積的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)備商業(yè)化。