航天產(chǎn)品的質(zhì)量和壽命取決于產(chǎn)品設(shè)計、研制生產(chǎn)和試驗測試全流程的可靠性，而集成電路安全可靠是航天電子系統(tǒng)在軌穩(wěn)定工作的基礎(chǔ)。現(xiàn)代集成電路制造流程中，工藝制造和設(shè)計環(huán)節(jié)均可引入芯片缺陷，在使用過程中可導(dǎo)致失效等。隨著芯片集成度的提高，芯片正面的金屬互連層不斷增加，倒封裝工藝得到廣泛應(yīng)用，從芯片正面定位缺陷位置變得愈發(fā)困難。目前，利用激光從背部開封裝的芯片進行的非接觸式無損缺陷定位技術(shù)，在集成電路靜態(tài)/動態(tài)缺陷定位領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。熱激光定位（TLS）和電光頻率映射（EOFM）是兩種典型的非接觸式缺陷定位技術(shù)。TLS利用激光熱效應(yīng)對半導(dǎo)體器件材料進行局部加熱，改變其電阻特性，實現(xiàn)靜態(tài)缺陷定位。EOFM利用器件內(nèi)部處于不同動態(tài)工作狀態(tài)晶體管與入射激光的電光調(diào)制效應(yīng)，通過接收反射光信號對電路進行頻域圖像分析，實現(xiàn)動態(tài)缺陷定位。隨著集成電路工藝的飛速進步，對缺陷分析定位的速度和靈敏度要求不斷提升，相應(yīng)的TLS和EOFM理論模型和技術(shù)手段需要不斷優(yōu)化發(fā)展，亟須發(fā)展該領(lǐng)域自主可控的測試裝置。