2021年11月5日，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢(shì)。GaNSense技術(shù)集成了對(duì)系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確和快速感應(yīng)，包括電流和溫度的感知，可額外提高10%的節(jié)能效果，可在空閑模式時(shí)自動(dòng)降低待機(jī)功耗，并能夠進(jìn)一步減少外部元件數(shù)量，縮小系統(tǒng)的尺寸。如果氮化鎵功率芯片識(shí)別到有潛在的系統(tǒng)危險(xiǎn)，該芯片將迅速過(guò)渡到逐個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護(hù)器件和周?chē)到y(tǒng)。迄今已有超過(guò)3000萬(wàn)顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試實(shí)現(xiàn)了超過(guò)1160億個(gè)設(shè)備小時(shí)，并且沒(méi)有任何現(xiàn)場(chǎng)故障的報(bào)告。