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上海光機所在自助溶劑法生長二銻化鈰單晶研究中取得進展

稿件來源:上海光學精密機械研究所 責任編輯:ICAC 發布時間:2021-08-16

  近日,中國科學院上海光學精密機械研究所微納光電子功能材料實驗室和融創中心研究團隊在二銻化鈰(CeSb2)單晶生長和輸運研究方面取得新進展,相關研究成果以封面文章形式發表在《晶體工程通訊》(Crystengcomm)上。

  CeSb2是一種稀土二銻化物,屬于Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida(RKKY)相互作用體系。低溫時,該體系中傳導電子與局域磁矩的相互作用導致較強的RKKY相互作用,從而引發諸如超導電性、磁熱、磁電阻等一系列物理現象。然而,目前稀土二銻化物的晶體質量普遍不高,影響了對其電輸運、電子結構、磁結構等微觀機理的深入研究。

  為此,科研人員通過自助溶劑法制備出一系列CeSb2單晶,通過單晶X射線衍射、Laue、電子探針、超導量子干涉儀測試系統等表征手段提出了助溶劑的摩爾比例對該類晶體生長的作用機理,并得到目前報道的質量最高的CeSb2單晶;通過電輸運測量技術研究發現CeSb2具有獨特的磁電阻特性,揭示了其在磁傳感、磁探測等領域的應用前景。該研究為稀土二銻化物的生長以及體系的磁性、Kondo物理、電子結構等微觀機理研究提供了參考。

  研究工作得到上海市科學技術委員會“科技創新行動計劃”揚帆計劃項目、國家自然科學基金青年科學基金項目的資助。

  論文鏈接 

 

左圖:生長CeSb2裝置示意圖及CeSb2的電輸運研究;右圖:期刊封面圖

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