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金屬所在晶界-表面截交線對強(qiáng)度的作用研究中獲進(jìn)展

稿件來源:金屬研究所 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時(shí)間:2021-06-17

  作為兩種面缺陷間的幾何交線,表面-晶界截交線(surface triple junction或STJ)是多晶體材料表面上的常見線缺陷。在塊體材料中,位于STJ的原子體積分量極低,其對材料整體強(qiáng)度的貢獻(xiàn)幾乎可以忽略。隨著材料尺寸降低至亞微米甚至納米尺度(如薄膜、納米線等),STJ原子體積分量急劇上升。然而,這一特殊線缺陷是否影響以及如何影響材料力學(xué)性能尚無定論。如何將STJ對材料強(qiáng)度的貢獻(xiàn)從表面及晶界效應(yīng)中分離出來,頗具挑戰(zhàn)。

  近日,中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心研究員金海軍團(tuán)隊(duì)在上述問題的研究中取得進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)在電化學(xué)環(huán)境下進(jìn)行原位壓縮實(shí)驗(yàn),比較納米晶和粗晶納米多孔金屬的力學(xué)行為,分離出納米金屬強(qiáng)度的STJ效應(yīng),并確定其開始發(fā)揮作用的臨界尺寸。相關(guān)研究成果以Surface triple junction governs the strength of a nanoscale solid為題,發(fā)表在《物理評論快報(bào)》上。

  該研究采用兩種特征樣品:一種是含有大量表面、晶界和STJ的納米晶納米多孔金樣品;另一種是含有大量表面,但晶界與STJ極少的粗晶納米多孔金樣品。由于晶界對電化學(xué)修飾不敏感,通過電化學(xué)控制表面狀態(tài)并觀察其對強(qiáng)度的影響,即可在納米晶納米多孔金中測得“STJ效應(yīng)+表面效應(yīng)”,即STJ與表面對強(qiáng)度的共同作用;作為參照實(shí)驗(yàn),在粗晶納米多孔金中則可測得“表面效應(yīng)”。比較“STJ效應(yīng)+表面效應(yīng)”與“表面效應(yīng)”,發(fā)現(xiàn)兩者在百納米以上基本重合,而在百納米以下顯著分離(圖2)。這說明在約100納米以下,STJ開始對材料強(qiáng)度發(fā)揮作用。透射電鏡等實(shí)驗(yàn)表明,STJ有可能作為位錯(cuò)的優(yōu)先形核位置影響納米材料變形行為與力學(xué)性能。研究表明,STJ及更廣義上的三叉晶界線并非簡單的面缺陷間幾何交線,而是影響材料性能的重要結(jié)構(gòu)參量。該研究為理解納米金屬力學(xué)行為,實(shí)現(xiàn)力學(xué)性能的控制與優(yōu)化提供重要信息。

  該研究由金屬所博士研究生張燁元(論文第一作者)、特別研究助理解輝、副研究員劉凌志和研究員金海軍(論文通訊作者)共同完成。研究工作得到國家自然科學(xué)基金和國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃的資助。

 

圖1.納米晶納米多孔金的(a)TEM圖像和選區(qū)電子衍射(SAED)圖案,(b)PED取向圖及(c)結(jié)構(gòu)示意圖。粗晶納米多孔金(d)TEM圖像和SAED圖案,(e)EBSD取向圖及(f)結(jié)構(gòu)示意圖。Surf:固體表面、GB:晶界、STJ:表面-晶界截交線

 

圖2.a、電化學(xué)控制原位壓縮實(shí)驗(yàn)裝置示意圖,b、典型的納米晶納米多孔金隨表面狀態(tài)改變的原位壓縮曲線,c、納米晶和粗晶納米多孔金氧吸附產(chǎn)生的流變應(yīng)力變化幅度隨孔棱尺寸的變化規(guī)律

  
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