隨著電子器件與通訊設(shè)備不斷朝著輕薄化、高頻化方向快速發(fā)展,電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)問題愈發(fā)嚴重,迫切需要高性能電磁屏蔽材料來解決這一問題。電磁屏蔽材料主要通過提高電導(dǎo)率來實現(xiàn)對電磁波的高效屏蔽。然而,高導(dǎo)電性的金屬由于高密度、高成本和難加工等問題限制了其在現(xiàn)代便攜式和小型化電子產(chǎn)品中的應(yīng)用。鑒于此,聚合物材料的表面金屬化為解決上述問題提供了替代方案。盡管表面金屬化在導(dǎo)電性和涂層均勻性方面已取得較大進展,但受限于金屬顆粒與聚合物基體的弱結(jié)合,金屬化聚合物材料的耐用性仍是挑戰(zhàn)。
中國科學(xué)院深圳先進技術(shù)研究院、深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院研究員孫蓉團隊在Chemical Engineering Journal上,以In-situ metallized carbon nanotubes/poly(styrene-butadiene-styrene) (CNTs/SBS) foam for electromagnetic interference shielding為題發(fā)表了最新研究成果,開發(fā)出強界面結(jié)合的嵌入式表面原位金屬化高效電磁屏蔽復(fù)合泡沫材料。研究人員以苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(poly(styrene-block-butadiene-block-styrene),SBS)為聚合物基體,碳納米管(carbon nanotubes,CNTs)為導(dǎo)電填料,首先采用冷凍干燥技術(shù)制備出CNTs/SBS復(fù)合泡沫,再利用三氟乙酸離子與乙醇羥基的離子偶極作用,實現(xiàn)銀鹽前驅(qū)體在SBS基體淺表層的吸附和原位還原,進而制得表面金屬化的Ag/CNTs/SBS復(fù)合泡沫。該工作利用超高長徑比CNTs與嵌入聚合物基體淺表層銀納米顆粒(Ag)的協(xié)同作用,構(gòu)筑有效的三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),實現(xiàn)了對電磁波的高效屏蔽。在厚度為4 mm時,復(fù)合泡沫在X波段(8.2-12.5 GHz)的電磁屏蔽效高達91 dB,即可屏蔽約99.9999999%的電磁波。此外,得益于Ag在SBS基體淺表層的獨特嵌入結(jié)構(gòu)與強界面結(jié)合,Ag/CNTs/SBS復(fù)合泡沫表現(xiàn)出良好的機械-電穩(wěn)定性,經(jīng)歷1000次循環(huán)壓縮后,其電阻僅增加約6%。
助理工程師田錠坤為論文第一作者,副研究員胡友根和研究員孫蓉為論文共同通訊作者。研究工作得到國家自然科學(xué)基金、深圳基礎(chǔ)研究計劃等的資助。
(a)Ag/CNTs/SBS復(fù)合泡沫的實物圖;(b)Ag/CNTs/SBS復(fù)合泡沫中Ag在聚合物基體淺表層嵌入的SEM圖;(c)傳統(tǒng)表面金屬化與本研究表面金屬化的效果對比示意圖;(d)Ag/CNTs/SBS復(fù)合泡沫在應(yīng)變?yōu)?0%下的循環(huán)機械-電性能;(e)Ag/CNTs/SBS復(fù)合泡沫壓縮前后的微觀結(jié)構(gòu)示意圖及其電磁屏蔽機理示意圖
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