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業(yè)內(nèi)熱點(diǎn)

合肥研究院制備出系列導(dǎo)熱與電磁屏蔽雙功能復(fù)合材料

稿件來源:合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時(shí)間:2021-05-10

  近期,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所高分子與復(fù)合材料研究部研究員田興友和研究員張獻(xiàn)團(tuán)隊(duì)以低熔點(diǎn)合金為填料,在實(shí)現(xiàn)導(dǎo)熱與電磁屏蔽雙功能聚合物復(fù)合材料制備方面取得系列進(jìn)展。相關(guān)研究成果分別發(fā)表在Composites Part A-Applied Science & ManufacturingNanotechnologyACS Applied Polymer MaterialsMaterials Research Express上。

  隨著5G時(shí)代到來,電子產(chǎn)品更新升級(jí)不斷加快。高頻率的引入使電子設(shè)備間的電磁干擾愈加嚴(yán)重,同時(shí)設(shè)備功耗不斷增大,發(fā)熱量也隨之快速上升,這成為影響高頻率高功率電子產(chǎn)品發(fā)展的關(guān)鍵因素。為解該問題,電子產(chǎn)品在設(shè)計(jì)時(shí)需加入具有導(dǎo)熱和電磁屏蔽性能的雙功能材料組件。低熔點(diǎn)合金具有較低的熔點(diǎn)、良好的潤(rùn)濕性能和力學(xué)性能、良好的導(dǎo)電和熱導(dǎo)性能,在電磁屏蔽與散熱領(lǐng)域展現(xiàn)出應(yīng)用潛力。更重要的是,低熔點(diǎn)合金填料能在聚合物基體中實(shí)現(xiàn)剛性粒子和可變形液滴兩種存在狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換,從而賦予了低熔點(diǎn)合金復(fù)合材料一些普通材料不具備的特殊性能,具有研究和應(yīng)用價(jià)值。

  首先,研究團(tuán)隊(duì)以聚合物規(guī)則微球?yàn)榛w,以低熔點(diǎn)合金(SnBi58)作為功能填料,分別在熱塑型聚偏氟乙烯(PVDF)及熱固性環(huán)氧(EP)基體中構(gòu)建了連續(xù)的合金微觀網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。合金含量為50 vol%的PVDF/SnBi58復(fù)合材料,其導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)6.38 W/mk,電磁屏蔽效能為68.79 dB。在環(huán)氧基體中,借助低熔點(diǎn)合金固-液相變行為,SnBi58合金作為一種“粘結(jié)劑”,解決了熱固性環(huán)氧樹脂難以通過熱壓加工成型的問題。此外,合金顆粒將多個(gè)環(huán)氧微球包圍形成環(huán)形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),有效提高了環(huán)氧基體的導(dǎo)熱系數(shù)及電磁屏蔽效能。

  之后,充分利用低熔點(diǎn)合金填料在聚合物基體中能實(shí)現(xiàn)剛性粒子和可變形液滴兩種存在狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換,以及SnBi58合金和石墨烯之間的良好聲子功率譜的匹配,同時(shí)提高了PVDF/石墨烯(Gr)膜的水平與垂直方向的導(dǎo)熱系數(shù)。具有4.8 vol%石墨烯和10.0 vol%LMPA(低熔點(diǎn)合金)的PVDF@4.8Gr/10LMPA復(fù)合材料表現(xiàn)出面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)為9.41 W/mK,面外導(dǎo)熱系數(shù)為0.35 W/mK,與PVDF@4.8Gr復(fù)合材料相比,分別增加約245%和130%。

  研究人員分別采用不同粒徑的聚合物微球、不同特性的低熔點(diǎn)合金及不同加工溫度,考察了隔離結(jié)構(gòu)形成的關(guān)鍵影響因素及其與性能的關(guān)聯(lián)規(guī)律。結(jié)果表明,合適的模壓加工溫度和微球/合金顆粒的尺寸匹配性決定了微觀隔離網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形成和導(dǎo)熱性能。SnBi17Cu0.5合金因其與聚合物基體尺寸的匹配性較高,從而達(dá)到了最低的界面熱阻和最優(yōu)的導(dǎo)熱性能;小尺寸聚合物微球有利于微觀導(dǎo)熱通道的致密化和界面熱阻的降低,也更有利于提高復(fù)合材料熱導(dǎo)率。

  低熔點(diǎn)合金優(yōu)異的導(dǎo)電/導(dǎo)熱特性實(shí)現(xiàn)了聚合物基體導(dǎo)熱與電磁屏蔽功能的一體化制備,且其固液相變行為進(jìn)一步滿足了高效的微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和易加工需求。該方法利用了低熔點(diǎn)合金的加工優(yōu)勢(shì)及功能特點(diǎn)而獲得了高性能復(fù)合材料,工藝簡(jiǎn)單、成本低廉,易于規(guī)模化。

  研究工作得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中科院STS重點(diǎn)項(xiàng)目等的支持。

  論文鏈接:1234 

   

  圖1.(a-b)PVDF微球的制備與PVDF/SnBi58復(fù)合材料的制備;(c)復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù);(d)復(fù)合材料的電磁屏蔽效能

   

  圖2.(a)PVDF@Gr/ SnBi58復(fù)合物的制備;(b)復(fù)合物的面內(nèi)方向?qū)嵯禂?shù);(c)復(fù)合物的面外方向?qū)嵯禂?shù)

   

  圖3.不同復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)與微觀結(jié)構(gòu)

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