氮化鋁具有6.1eV的超寬帶隙，這對于制造大功率和高壓電子產品而言具有誘人的吸引力，同時在約200nm波長范圍內兼有深紫外光電子學的潛力。寬帶隙材料在實現高電導率方面具有挑戰性。

　　改善AlN中的電導率涉及降低螺紋位錯和鋁空位硅（VAl-nSi）絡合物的密度。這些缺陷通過俘獲淺至約70meV供體態的電子，降低了硅作為摻雜劑的有效性，從而降低了電導率。

　　紫外光照射的目的是產生多余的少數載流子，這些載流子的存在使VAl-nSi絡合物的形成能向上移動，從而降低了它們的密度。產生空穴需要能量高于6.1eV帶隙（即波長小于200nm）的UV光子。該技術的理論設計為缺陷準費米能級（dQFL）控制。

　　研究人員使用位錯密度低于10³ / cm²的AlN襯底，單晶AlN由通過物理氣相傳輸（PVT）生長的球團加工而成，再通過使用富氮金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）添加同質外延AlN層。

　　n型摻雜是在100keV能量下用10¹⁴個原子/cm²的硅離子注入實現的，在注入過程中，將AlN襯底傾斜7°，以避免離子容易穿過晶格結構中對齊間隙的通道效應。

　　在氮氣中以100Torr的壓力在1200°C退火2小時來激活摻雜，溫度被視為較低，低于系統達到熱力學平衡所需的值。

　　用來自1kW汞氙燈的UV燈照射樣品。紫外線照射減少了中間間隙的光致發光，表明成功抑制了植入后退火過程中補償性VAl-nSi點缺陷的產生。

　　用于電氣測量的觸點是范德堡格式的電子束蒸發釩/鋁/鎳/金。在氮氣中在850°C下沉積一分鐘后，對觸點進行退火。

　　在300K和725K溫度范圍內測量在各種條件下退火的樣品的電導率。與在相同溫度但沒有紫外線的情況下退火的樣品相比，經過紫外線退火的樣品在整個溫度范圍內的導電率提高了30倍。隨著溫度接近室溫，顯示出較差的性能。

　　利用電導率的溫度依賴性，研究人員估計紫外線照射的樣品的補償比為0.2，而在1200°C下無紫外線退火的樣品的補償率為0.9。

　　由于植入物產生的高斯施主濃度和遷移率隨深度而變化，預計室溫霍爾測量結果不會很準確，因此，進行了熱探針交流測量。

　　在高于400°C的溫度下，自由電子濃度估計為5x10¹⁸ / cm³（假定為200nm層的平均值），遷移率為1cm² / V-s。薄層載體的濃度接近硅劑量，約為~1x10¹⁴ / cm²。

　　研究人員評論說：“雖然離子注入在AlN中證明了室溫下超過1/Ω-cm的高導電性，但盡管補償率很低，測量的載流子遷移率卻比外延摻雜低100倍左右。”

　　在沒有UV的情況下經過1200°C退火的樣品在類似的遷移率下具有約1x10¹³ / cm²的薄片載體濃度。低遷移率促使科研人員進一步深入研究，希望可以得到改善，從而實現更高的導電性。