據TechXplore網3月30日消息，沙特阿卜杜拉國王科技大學開發(fā)出一種名為“熱互擴散合金化”（Thermal Interdiffusion Alloying，TIA）的工藝，可制造包含鋁、鎵和銦等第III族元素的超寬禁帶半導體。 

　　超寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于3.4eV的半導體材料，它的擊穿電場、熱導率、電子遷移率等性能，以及耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射的能力均優(yōu)于現(xiàn)有大規(guī)模應用的寬禁帶半導體材料，在超高壓電力電子器件、射頻電子發(fā)射器、深紫外光電探測器和量子通信等領域具有廣闊的應用前景。阿卜杜拉國王科技大學研究人員在藍寶石襯底上制作常見的氧化鎵樣品，隨后將樣品加熱到1000~1500攝氏度的高溫，使氧化鎵樣品固化。加熱過程中，鋁原子會從藍寶石緩慢擴散到氧化鎵中，而鎵原子沿相反的方向移動以混合并生成鋁鎵氧化物合金。更高的溫度和更長的過程導致更多的相互擴散現(xiàn)象，從而生產出具有更高鋁成分的合金。通過控制加熱時間和溫度，研究人員能在0~81%之間控制鋁元素的占比，從而使超寬禁帶半導體擁有不同的性能。 

　　論文信息：Che-Hao Liao et al. Wide range tunable bandgap and composition β-phase (AlGa)₂O₃ thin film by thermal annealing, Applied Physics Letters (2021)

　　論文鏈接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0027067