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X-FAB和IHP合作開發(fā)SiGe BiCMOS和RF-SOI技術

稿件來源:今日半導體 責任編輯:ICAC 發(fā)布時間:2021-03-22

掃描電子顯微鏡拍攝的SiGe BiCMOS晶片橫截面

  X-FAB和IHP宣布建立行業(yè)學術合作伙伴關系,將X-FAB在半導體制造方面的專業(yè)經驗與IHP的無線通信專業(yè)技術結合在一起,目的是交流知識,互惠互利。X-FAB是全球領先的模擬/混合信號和微機電系統(tǒng)(MEMS)芯片代工廠集團,專門制造用于汽車、工業(yè)、消費級、醫(yī)療及其他應用領域的硅晶片。IHP是德國高性能微電子萊布尼茨微電子創(chuàng)新研究所(IHP)的簡稱,位于奧得河畔的法蘭克福,是一家擁有300名員工的德國研究所。

  IHP的有源器件將直接集成到X-FAB的130nm XR013射頻絕緣體上硅(RF-SOI)工藝的線路后端(BEOL),該工藝以Cu和厚銅為基礎的金屬化為特色,以及性能無源元件,例如電感器和變壓器。這種集成意味著可以嘗試下一代無線系統(tǒng)概念。

  正在進行的合作工作的另一個重點是硅鍺(SiGe)雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS)技術的開發(fā)。這方面的基礎將是IHP的SiGe異質結雙極晶體管。這些晶體管具有強大的性能參數,對于SG13S-Cu,fT / fmax值高達250 / 340GHz,SG13G2-Cu的fT / fmax值高達300 / 500GHz。所采用的3μm厚的低損耗銅互連也將被證明對提高RF性能水平很有價值。

  通過IHP和EUROPRACTICE聯(lián)盟提供了針對RF-SOI和SiGe BiCMOS技術的原型服務。IHP和X-FAB開發(fā)的技術將有機會用于光電子和5G無線通信系統(tǒng),以及創(chuàng)新雷達的實現。

  X-FAB射頻技術總監(jiān)Greg U’Ren博士說:“對于包括5G在內的許多無線應用來說,SiGe BiCMOS仍然是一個很有吸引力的前景,因為它可以在硅基平臺上集成高性能射頻。IHP和X-FAB都意識到了這里的巨大潛力。我們正在研究的技術是利用每個合作伙伴各自優(yōu)勢的協(xié)同關系的成果。”

  國際水文計劃科學主任教授Gerhard Kahmen評論說:“X-FAB作為歐洲領先的半導體制造商之一,我們非常高興能其合作。這種合作關系使我們能夠將一流的研究轉移到商業(yè)應用中,為下一代高性能射頻系統(tǒng)奠定基礎,如400G數據通信、60-300GHz雷達和sub-THz成像。”

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