為此,研究人員采用快速高效、過程簡單、環(huán)境友好、可同步圖案化的高能激光誘導法,在聚酰亞胺基底上進行三維多孔石墨烯晶體膜的原位制備。為了調(diào)控激光與聚酰亞胺前驅(qū)體的相互作用,研究人員通過控制原料化學計量比和酰亞胺化反應溫度來調(diào)控產(chǎn)物聚酰亞胺的酰亞胺化程度和分子構(gòu)型,從而改變其熱敏感性。最終,在聚酰亞胺膜上原位生長出厚度高達320 μm的分級多孔結(jié)構(gòu)石墨烯晶體膜,其面積和體積比電容高達172.2 mF/cm2和4.13 mF/cm3,展現(xiàn)出巨大應用潛能。進一步原位電沉積贗電容材料聚吡咯,可以制得石墨烯/聚吡咯復合電極,其面積比電容高達2412.2 mF/cm2。研究發(fā)現(xiàn),以該復合電極材料作為電極制造的平面叉指形柔性全固微型態(tài)超級電容器,可獲得高達134.4 μWh/cm2和325.2 μW/cm2的能量密度和功率密度,且同時兼具優(yōu)異的倍率性能、循環(huán)穩(wěn)定性和機械柔韌性。
上述工作得到了國家自然科學基金委大科學裝置聯(lián)合基金項目和青年基金項目等多個項目資助。
圖1. 聚酰亞胺的熱敏性調(diào)控及宏觀厚度石墨烯晶體膜的激光誘導生長
圖2. 宏觀厚度石墨烯晶體膜的結(jié)構(gòu)表征
圖3. 石墨烯/聚吡咯復合材料的超級電容性能
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