為了解決晶圓尺寸不匹配的問題，并應(yīng)對(duì)微型LED產(chǎn)量的挑戰(zhàn)，德國(guó)Micro LED技術(shù)廠商ALLOS 應(yīng)用了其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，顯示了200mm硅基GaN晶圓片卓越的均勻性和可重復(fù)性，該公司還報(bào)告了300mm晶圓的成~路線圖。

　　良率是Micro LED顯示器的成~的關(guān)鍵，并且會(huì)直接影響生產(chǎn)的復(fù)雜性和成本。對(duì)于Micro LED應(yīng)用而言需采用大晶片來降低成本，Micro LED需要整合CMOS生產(chǎn)線的芯片與 LED晶圓片整合。與藍(lán)寶石基氮化鎵獲得的更小直徑相比，匹配的芯片直徑還能促進(jìn)其作用。ALLOS 團(tuán)隊(duì)采用其獨(dú)有的應(yīng)變工程技術(shù)來進(jìn)一步提高波長(zhǎng)一致性，并于2019 年2月展示了200mm的GaN-on-Si LED晶圓片，標(biāo)準(zhǔn)差（TDEV)）僅為0.6nm。

　　ALLOS 的最新研究結(jié)果顯示，該技術(shù)現(xiàn)具有出色的可復(fù)制性，200mm的波長(zhǎng)一致性始終低于1nm STDEV。ALLOS還滿足了其他生產(chǎn)要求，例如弓小于40μm，SEMI 標(biāo)準(zhǔn)厚度為725μm。這些參數(shù)在將 CMOS 芯片粘合到 LED 外延片時(shí)非常重要。

　　ALLOS 證實(shí)，其技術(shù)已在此新反應(yīng)器上成~擴(kuò)展300mm。特別是，ALLOS獨(dú)有的應(yīng)變工程技術(shù)和出眾的晶體質(zhì)量如預(yù)期的一樣適用于300mm。ALLOS指出，晶圓從直徑100毫米進(jìn)行放大，對(duì)微型LED的業(yè)務(wù)影響比在LED行業(yè)的其他部門更大。使用較大直徑除了能夠降低單位面積成本，用于Micro LED 生產(chǎn)的200mm 和300mm GaN-on-Si 晶圓片還能比傳統(tǒng)LED生產(chǎn)線的成本更低和生產(chǎn)精度更高的CMOS設(shè)施。之所以會(huì)產(chǎn)生進(jìn)一步的效果，是因?yàn)榇蠖鄶?shù)micro-LED制造方式都使用大面積傳輸戳記的傳質(zhì)技術(shù)或單片集成顯示器。

　　原文題目：ALLOS reports wavelength uniformity and reproducibility of 200mm GaN-on-Si epiwafers for micro-LEDs

　　原文來源：http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/mar/allos-310320.shtml