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上海技術(shù)物理研究所等實(shí)現(xiàn)微器件隨心所畫(huà)按需定制

稿件來(lái)源:中國(guó)科學(xué)報(bào) 黃辛 責(zé)任編輯:ICAC 發(fā)布時(shí)間:2020-02-10
圖片說(shuō)明:覆蓋有鐵電薄膜的半導(dǎo)體器件 (中科院上海技術(shù)物理研究所 供圖  鄭瑩瑩 攝)
  中科院上海技術(shù)物理研究所王建祿研究員課題組與復(fù)旦大學(xué)、華東師范大學(xué)、南京大學(xué)和中科院微電子所等多個(gè)課題組合作,基于具有極化特征的鐵電薄膜材料,通過(guò)納米探針調(diào)控薄膜的極化方向,對(duì)低維半導(dǎo)體的導(dǎo)電行為調(diào)控,實(shí)現(xiàn)多種新型光電功能器件與準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)器制備。該研究成果論文近日發(fā)表于《自然—電子學(xué)》。

  半導(dǎo)體微器件支撐的電子及光電子技術(shù)已廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代生活,而從器件到系統(tǒng)的集成仍然需要很多復(fù)雜技術(shù)與繁瑣流程,很難快速響應(yīng)緊迫需求。

  “如果能夠利用簡(jiǎn)單的工藝按需實(shí)現(xiàn)基本的光電子、電子器件的功能,顯然會(huì)更好更快地促進(jìn)技術(shù)發(fā)展與迭代。”該論文通訊作者王建祿告訴《中國(guó)科學(xué)報(bào)》,他們基于新型材料的微納光電、電子器件制備方法,利用極化控制薄膜層實(shí)現(xiàn)無(wú)模板器件制備,針對(duì)器件的實(shí)際需求自如操控圖形。

  他進(jìn)一步解釋說(shuō),“這層具有極性的鐵電薄膜就像一張納米厚度神奇畫(huà)布,納米探針類(lèi)似于畫(huà)筆,運(yùn)用納米畫(huà)筆可以在畫(huà)布上任意作畫(huà),而且畫(huà)布還可以反復(fù)擦寫(xiě),畫(huà)作也就是各類(lèi)微納器件,這種方法給制備微納器件提供了豐富想象力。”

  據(jù)介紹,依靠這種新技術(shù)研制的光電探測(cè)器響應(yīng)率從每瓦4.8毫安提高至每瓦1500毫安,提高了近300倍;準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)器的保持時(shí)間從10秒提高到100秒以上。

  王建祿表示,這一整套按需“繪制”、隨心所“畫(huà)”的器件設(shè)計(jì)制備新技術(shù),極大地簡(jiǎn)化了半導(dǎo)體工藝過(guò)程,為未來(lái)芯片技術(shù)提供了新途徑。

  (原載于《中國(guó)科學(xué)報(bào)》 2020-02-10 第4版 綜合)

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