11月13日，北京市政協(xié)第八次“科技講堂”在微電子所舉行，圍繞中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展進(jìn)行專(zhuān)題學(xué)習(xí)。微電子所所長(zhǎng)葉甜春作授課報(bào)告。北京市政協(xié)主席吉林，副主席楊藝文、陳軍，以及北京市...
10月20日，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)新戰(zhàn)略研討會(huì)暨慶祝微電子所建所60周年大會(huì)召開(kāi)。來(lái)自院內(nèi)兄弟單位、行業(yè)企業(yè)、高校、科研院所和地方政府的各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)、專(zhuān)家學(xué)者和業(yè)界朋友，以及微電子所領(lǐng)...
近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員Henry Radamson和副研究員王桂磊在先導(dǎo)中心8寸平臺(tái)上成功制造絕緣體上張應(yīng)變鍺（TSGOI）晶圓。該項(xiàng)技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)了工藝過(guò)程中對(duì)Ge的誘導(dǎo)應(yīng)變微調(diào)，使Ge...
近期，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)及合作者（中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所王先平課題組、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所先導(dǎo)中心工藝平臺(tái)等）在氮化鎵界面態(tài)起源研究方面取得創(chuàng)新性進(jìn)展。...
近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在面向5納米以下技術(shù)代的新型硅基環(huán)柵納米線(xiàn)（ Gate-all-around silicon nanowire ， GAA SiNW ） MOS器件的結(jié)構(gòu)和制造方法研究上取得...
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