歷史拾貝
中國科學(xué)院微電子所階段（2003年至今）之五
5月14日，微電子所與意法半導(dǎo)體（中國）投資有限公司舉行簽約儀式，達成戰(zhàn)略合作意向。
6月13日，“國家集成電路人才國際培訓(xùn)（北京）基地揭牌”儀式在微電子所舉行。
11月23日，微電子所與四川省經(jīng)信委簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
12月24日，集成電路測試儀器與裝備產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟成立大會暨首屆理事會在中科院微電子所召開。大會選舉產(chǎn)生了聯(lián)盟首屆理事會成員，并推選葉甜春為首屆理事會理事長。
微電子所自對準高性能自選通阻變存儲器結(jié)構(gòu)研究論文被 2016VLSI 國際研討會接收并進行口頭報告。這是中科院首次作為第一作者單位在該國際會議發(fā)表論文。
微電子所與深圳市德賽微電子有限公司聯(lián)合開發(fā)的車載360度環(huán)視系統(tǒng)，由車載后裝市場成功進入車載前裝市場并進入量產(chǎn)階段，這是繼日本富士通之后、亞洲首款可實現(xiàn)360度三維成像的車載全景系統(tǒng)。
微電子所與武漢新芯聯(lián)合研發(fā)完成測試芯片的設(shè)計并順利實現(xiàn)國內(nèi)首款具有完整讀寫功能的大容量產(chǎn)品級三維存儲測試芯片的成功流片，標志著我國首次自主研發(fā)的三維存儲器芯片原型設(shè)計得到成功驗證。
微電子所“22-14納米集成電路器件工藝先導(dǎo)技術(shù)”同時獲得北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎和中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎技術(shù)發(fā)明類一等獎，“高密度三維系統(tǒng)級封裝關(guān)鍵技術(shù)研究”獲得北京市科學(xué)技術(shù)獎二等獎。
2017年
1月9日，微電子所獨立完成的“氧化物阻變存儲器機理與性能調(diào)控”項目獲得2016年國家自然科學(xué)二等獎。
2月10日，中科院院長、黨組書記白春禮到微電子所調(diào)研考察。
3月18日，“成都芯谷”重大項目集中簽約儀式舉行。“中科院微電子西南產(chǎn)業(yè)基地”落戶雙流。
4月26日，微電子所牽頭組織完成的“22納米集成電路核心工藝技術(shù)及應(yīng)用”項目榮獲“2016年度北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎”；牽頭組織完成的“高密度三維系統(tǒng)級封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”項目獲得“2016年度北京市科學(xué)技術(shù)獎二等獎”。
5月10日，中科院黨組副書記、副院長劉偉平調(diào)研微電子所。
劉偉平（右三）調(diào)研微電子所
10月9日，中科院院長辦公會正式批準籌建“中科院集成電路創(chuàng)新研究院”；10月19日，創(chuàng)新研究院籌建工作研討會暨籌建工作組第一次會議在北京召開。
葉甜春在創(chuàng)新研究院籌建工作研討會暨籌建工作組第一次會議上匯報籌建工作進展
微電子所與北京航空航天大學(xué)聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個 80 納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件。該工作對我國存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實際意義的推動作用。
微電子所對外發(fā)布基于8英寸CMOS工藝線的硅光子平臺和MEMS工藝平臺，面向國內(nèi)外企業(yè)開展技術(shù)服務(wù)，標志著我國在硅光子和 MEMS領(lǐng)域的研發(fā)能力大幅提高。
微電子所在8英寸工藝線上完成系統(tǒng)的硅光子工藝和器件研發(fā)。不僅在國內(nèi)建立首個硅光子制造與開發(fā)平臺，且器件性能也達到國際一流水平。
由微電子所與紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司聯(lián)合研發(fā)的國內(nèi)首款大容量三維（3D）NAND 存儲器芯片成功流片并通過測試，芯片性能達到當(dāng)前業(yè)界主流指標。