歷史拾貝
中國科學(xué)院微電子所階段（2003年至今）之二
1月8日，微電子所作為第二單位完成的項目“中高頻聲表面波關(guān)鍵材料及技術(shù)研究”獲2007年度國家技術(shù)發(fā)明二等獎。同年，該項目又獲得中科院獎勵。
6月1日、6月4日，微電子所選派兩批科研人員赴汶川抗震災(zāi)區(qū)救災(zāi)；6月27日，葉甜春所長榮獲“中央國家機(jī)關(guān)抗震救災(zāi)優(yōu)秀共產(chǎn)黨員”稱號。
9月4日—5日，在中國無線個域網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)組第十一次工作會議上，微電子所針對OFDM超寬帶物理信道劃分的提案從眾多方案中脫穎而出，最終被標(biāo)準(zhǔn)組完全采納，成為即將出臺的中國超寬帶標(biāo)準(zhǔn)的物理信道方案。該提案被采納奠定了微電子所UWB研究在國內(nèi)的領(lǐng)先地位。
12月9日，中科院副院長陰和俊到微電子所調(diào)研指導(dǎo)工作。
微電子所研制成功國內(nèi)首個256位分子存儲器電路，為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實現(xiàn)奠定重要基礎(chǔ)。
微電子所研制成功國內(nèi)首款基于民用波段的全球?qū)Ш蕉嗄Ｊ缴漕l接收芯片。
多模式導(dǎo)航射頻芯片
微電子所研制成功國內(nèi)首個ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管，為新型納米器件及其應(yīng)用開辟全新研究領(lǐng)域。
微電子所成功申請中科院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室，建立本所第一個中科院重點實驗室。
2009年
1月9日，由微電子所作為合作單位之一承擔(dān)完成的“90納米—65納米極大規(guī)模集成電路大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)研究”獲2008年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎。
3月24日，中科院副院長江綿恒視察微電子所。
由微電子所作為合作單位之一，承擔(dān)完成的“100納米高密度等離子刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項目獲得2008年北京市科技進(jìn)步一等獎。
微電子所研制實現(xiàn)4GHz4-bit芯片。該芯片的設(shè)計成功，對于提升我國在該領(lǐng)域的技術(shù)水平具有重要意義。
2009年
11月12日，中科院、江蘇省、無錫市簽署共建“中國物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心”合作協(xié)議，微電子所與無錫合作共建的中科微電子工業(yè)技術(shù)研究院納入中心整體框架。該中心于12月30日獲江蘇省編辦批復(fù)為正局級科研事業(yè)單位，于2010年11月20日在無錫傳感網(wǎng)創(chuàng)新園舉行揭牌儀式。
2010年
7月，龍芯CPU第一款國產(chǎn)化封裝產(chǎn)品在微電子所取得成功，標(biāo)志著我國國產(chǎn)高端CPU芯片開始走入封裝完全國產(chǎn)化時代。
一款用于計算機(jī)多CPU高速互連的高性能專用交換芯片在微電子研究所封裝成功，在國內(nèi)首次實現(xiàn)此類高端芯片完全國產(chǎn)化的高密度封裝。
多CPU高速互連的高性能專用交換芯片
由微電子所設(shè)計研發(fā)的15-43A/1200VIGBT系列產(chǎn)品流片成功，各項參數(shù)均達(dá)設(shè)計要求，成為國內(nèi)首款自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品。
微電子研究所系統(tǒng)封裝研究室研制出國內(nèi)第一款全光QSFP收發(fā)一體光纜，其速率達(dá)到4×10Gbps，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。
“微納結(jié)構(gòu)‘自上而下’制備核心技術(shù)與集成應(yīng)用”項目獲2010年北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎。
國家地震災(zāi)害緊急救援隊向微電子所贈送“寬帶無線技術(shù)領(lǐng)先，科技救災(zāi)創(chuàng)新為民”錦旗，對微電子所在青海玉樹抗震救災(zāi)期間提供的寬帶無線通信服務(wù)表示衷心感謝。
