1月26日，“集成電路大生產試驗”獲中科院“六五”科技攻關重要貢獻表彰。

　　5月15日，“大規模集成電路大生產試驗”獲國家科技攻關成績顯著表彰。

　　微電子中心在超凈線研制出我國第一塊64K存儲器。

　　1988年

　　2月1日，“半導體工藝和器件的模型參數優化提取和統計模擬（共包括三個軟件）”獲中科院科技進步三等獎。

　　10月，“0.5微米粒子10個/英尺3裝配式潔凈室”獲國家科技成果獎。

　　國家批準的109廠擴建工程竣工，通過國家驗收。工作大樓面積達1.8萬平方米，凈化面積近5500平方米，有一條完整齊全的三英寸研制、開發生產線。

　　1989年

　　微電子中心和北京前門器件廠合作成立北京輕科微電子聯合公司，并將前門器件廠的4寸線設備（約3000萬元）全部遷入微電子中心超凈廠房。4寸線開通并投入生產運行，為科研開發和中試生產以及完成“七五”攻關任務，打下良好的物質基礎。

　　9月，“1-1.5微米成套工藝開發及相應水平大規模集成電路的研究”獲“七五”國家重點科技攻關專題優異成績表彰。

　　11月，“康發系列CAE工作站”獲中科院科學技術進步一等獎。

　　研制開發成功VDMOS功率集成電路并率先在國內投入規模生產，為我國節能工作做出突出貢獻。

　　1990年

　　在國內首先開發成功2微米CMOS工藝，首次自主研發成功一套柵長0.6微米Ti——自對準硅化物LDDMOS技術和相應器件和實驗電路。

　　與中科院高能所、光機所合作，在北京正負電子對撞機同步輻射實驗室，用微電子中心研制的X射線光刻掩膜和同步輻射光刻束線成功進行我國第一次同步輻射光刻實驗。

　　“CMOS門陣列設計工具的開發”獲中科院科學技術進步二等獎。

　　10月，“VDMOS場效應功率器件KWP07N40（45，50）KWPIN40-50，KWP2N40-50”獲1990年度國家級新產品證書。

　　12月，“康發系列CAE工作站”獲國家科委科技進步三等獎。

　　12月20日，“FD-2型RIE通用刻蝕機刻蝕機研制與超精細圖形刻蝕工藝研究”獲中科院科學技術進步二等獎。