建所60周年
歷史拾貝
中國科學(xué)院109廠階段（1958－1986年）之三
109廠研制開發(fā)成功系列低功耗TTL—F數(shù)字邏輯集成電路，提供給地面站使用。
1973年
109廠與北京建筑材料設(shè)計(jì)院、安徽蚌埠凈化設(shè)備廠聯(lián)合研制成功一套（共12種）潔凈度達(dá)100級的局部空氣凈化臺(tái)。該設(shè)備1974年投入使用。這是我國第一臺(tái)用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的專用凈化設(shè)備。
1975年
109廠與中科院計(jì)算技術(shù)研究所合作，研制生產(chǎn)中國第一臺(tái)集成電路百萬次計(jì)算機(jī)（1025機(jī)，后命名為013機(jī)）所用的主要集成電路。013機(jī)的研制成功，迫使西方國家放寬了向中國出口百萬次計(jì)算機(jī)的限制。
8月，國務(wù)院、中央軍委以國發(fā)[1975] 128號文件下達(dá)了“757”工程任務(wù)。在“757”工程的攻關(guān)中，109廠建立了一套穩(wěn)定而成熟的制造超高速集成電路工藝技術(shù)。
1978年
國家批準(zhǔn)109廠引進(jìn)價(jià)值1500萬美元的上百臺(tái)先進(jìn)工藝、檢測和理化分析設(shè)備，并批準(zhǔn)擴(kuò)建凈化廠房（總建筑面積21000㎡，總投資8900萬元，后追加600萬元）。這兩項(xiàng)重大決策為微電子技術(shù)發(fā)展創(chuàng)造了良好的條件。
建設(shè)中的凈化廠房
“抗飽和TTL-E系列高速邏輯電路”、 “光刻技術(shù)設(shè)備的應(yīng)用”、 “半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)線專用局部空氣凈化設(shè)備”、 “109乙晶體管通用數(shù)字電子計(jì)算機(jī)及其軟件系統(tǒng)”、 “ECL-D系列超高速邏輯電路”、 “低功耗TTL-F系列邏輯電路”等成果獲中科院重大科技成果獎(jiǎng)。
同年，抗飽和TTL-E系列高速邏輯電路、ECL-D系列超高速邏輯電路、低功耗TTL-F系列邏輯電路、半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)線專用局部空氣凈化設(shè)備四項(xiàng)獨(dú)立完成成果以及013大型通用集成電路數(shù)字電子計(jì)算機(jī)及其軟件系統(tǒng)、109乙晶體管通用數(shù)字電子計(jì)算機(jī)及其軟件系統(tǒng)兩項(xiàng)合作完成成果榮獲全國科學(xué)大會(huì)成果獎(jiǎng)。
6月，在757任務(wù)進(jìn)入攻堅(jiān)階段的時(shí)刻，中科院任命李德仲同志擔(dān)任109廠廠長。
李德仲同志
1979年
109廠自主設(shè)計(jì)研制成功4K位MOSDRAM，平均成品率達(dá)28％。
1980年
中科院調(diào)王守武院士兼任109廠廠長。
王守武院士
109廠自主設(shè)計(jì)研制成功16K位MOSDRAM。
12月，109廠為757計(jì)算機(jī)研制生產(chǎn)30余個(gè)品種，共30余萬塊ECL和TTL集成電路。
1982年
9月，“151電子計(jì)算機(jī)雙抗復(fù)合系統(tǒng)”獲國家科學(xué)技術(shù)委員會(huì)國家科學(xué)技術(shù)工作一等獎(jiǎng)。
10月，“KHA75-1型半自動(dòng)接近接觸式光刻機(jī)”獲第一機(jī)械工業(yè)部科技工作一等獎(jiǎng)。
109廠設(shè)計(jì)研制成功64K位MOSDRAM。
1985年
109廠基本完成21000㎡超凈化廠房擴(kuò)建工程，成為當(dāng)時(shí)國內(nèi)面積最大、條件最好、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)廠房。
3月，“大規(guī)模集成電路制造及測試設(shè)備”獲機(jī)械工業(yè)部嘉獎(jiǎng)。
12月，經(jīng)中科院決定，并報(bào)國家科委批復(fù)，109廠與半導(dǎo)體所、計(jì)算所有關(guān)研制大規(guī)模集成電路部分合并，成立中國科學(xué)院微電子中心，總規(guī)模為1140人。
1986年
3月，微電子中心遷至北京市朝陽區(qū)北土城西路3號，位于元大都遺址之畔。