在1月8日舉行的2007年度國家科學技術獎勵大會上，由微電子所作為第二單位完成的項目“中高頻聲表面波關鍵材料及技術研究”獲得國家技術發明二等獎。近日，該項目再次獲得中科院獎勵。

　　本次國家科學技術獎勵大會，由國家科學技術獎勵評審委員會嚴格評審，國家科學技術獎勵委員會審定和科技部審核，經國務院批準，國家技術發明獎授獎項目５１項，其中一等獎１項，二等獎５０項。“中高頻聲表面波關鍵材料及技術研究”經北京市推薦，經嚴格評審，在參選項目中脫穎而出，最終獲二等獎。近日，中國科學院又下發了《關于獎勵2007年度獲國家科技獎項目的通知》，微電子所作為第二完成單位，獲得50萬元的獎勵。

　　“中高頻聲表面波關鍵材料及技術研究”項目由微細加工與納米技術研究室主任劉明研究員與清華大學材料系潘峰教授等合作完成，項目取得的主要研究成果有：采用Ti、Zr、Ni金屬納米級過渡層，并通過適量添加Mo等微量元素，研制出多種具有高抗電遷移和功率耐受性的Al基叉指換能器材料；成功解決了Al/ZnO/金剛石/Si多層材料間的匹配問題，獲得了高品質的高頻聲表面波器件材料結構，制作的器件中心頻率達3.3GHz；將耦合膜（COM）和鏡像耦合理論成功應用于多層復合膜聲表面波器件的設計，發展出具有自主知識產權的設計平臺和相關軟件；發展了一種新的分層分劑量進行臨近效應修正電子束直寫技術，解決了200納米線寬密集叉指換能器和毫米級匯流線條同時曝光的難題，制備出線寬達0.2微米的聲表面波器件；突破了高頻聲表面波材料與器件產業化關鍵技術，形成了具有自主知識產權的年產2000萬只中高頻器件的示范生產線。

　　“中高頻聲表面波關鍵材料及技術研究”形成了自主知識產權、推動了聲表面波技術的發展，產生了顯著的技術、經濟效益。同時該項目的成果直接推動了我國新一代無線通信系統的發展，也直接促進了我國新一代應用電子系統安全的發展，產生了顯著的社會效益。