近日，我所微波器件與集成電路研究室（四室）依靠獨立開發的全新技術，成功研制出國內首個ZnO納米棒場效應晶體管。

　　ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料（納米線、納米棒、納米帶、納米環等等）具有較常規體材料更為優越的性能，在傳感、光、電等諸多領域有著廣闊的應用前景，引起了國際學術界的極大關注。目前，國內的研究集中在材料生長和二極管器件制備方面。

　　我所四室張海英研究員、徐靜波助理研究員、黎明和付曉君博士經過刻苦的科研攻關，使用中國科技大學提供的材料，在微電子所所長基金支持下，獨立開發出一套全新的“由下至上”的納米器件設計和制備方法，采用常規的接觸式光學光刻技術，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導體結構的場效應晶體管，獲得了滿意的器件測試結果，標志著國內首個背柵ZnO納米棒場效應晶體管的研制成功，填補了國內在該領域的空白。

　　場效應晶體管研制的成功為新型納米器件及其應用開辟了全新的研究領域，課題組將繼續深入合作，協助材料生長方制備出直徑更細的納米線，進一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關鍵技術問題。