我所微波器件與集成電路研究室（四室）InP HBT小組再傳捷報，其設計制作的InP DHBT振蕩頻率達到305GHz，打破了由其先前在國內創造的253GHz的記錄，在該領域的研究上，不僅在國內取得了絕對的領先優勢，而且在頻率和功率綜合指標上已經接近國際先進水平。

　　InP基器件由于其在超高頻領域具有優異的材料性能而成為國內外研究的熱點。但目前國內研究尚不成熟，在器件工藝制作及高頻測試等方面的難題使得InP高頻器件的研究困難重重。在科技部973項目和中科院重要方向性項目的支持下，微電子所金智研究員率領InP HBT小組科研人員刻苦攻關，采用傳統的三臺面式的器件結構和發射極基極自對準、BCB平坦化等工藝，在器件頻率及成品率、一致性方面取得較大突破。研制成功的共基極四指并聯InP/InGaAs/InP雙異質結三極管（DHBT）器件的性能得到極大的優化，不僅將擊穿電壓提高到7V，飽和電流提高到100mA，直流參數的最大輸出功率提高到80mW；而且在頻率上更上一層樓，最大振蕩頻率突破305GHz。這一結果發表在《Solid-State Electronic》上，是目前為止國內唯一一篇在國外文獻上報道的、器件頻率超過300GHz的文章。InP DHBT多指并聯拓撲結構的研制成功為PA和VCO在W波段的實現打下了堅實的基礎。在不久前結束的973項目“新一代半導體化合物電子器件與電路研究”課題驗收會上，這一結果也受到同行專家的一致好評。

　　器件俯視圖

　　器件最大振蕩頻率