近日，由微電子所作為合作單位之一承擔完成的“90納米—65納米極大規模集成電路大生產關鍵技術研究”獲2008年國家科學技術進步獎二等獎。微電子所徐秋霞研究員作為項目主要完成人之一，也榮獲該獎項 。

　　國家863項目“90納米—65納米極大規模集成電路大生產關鍵技術研究”，由北京大學、中芯國際集成電路制造有限公司、浙江大學、西安電子科技大學、中國科學院微電子研究所、清華大學6家單位合作完成。成功開發了90nm大生產核心技術，包括微細加工、Co硅化物淺結、Cu互聯／低K、器件模型、光刻模型和版圖的可制造性、可靠性分析和評測等技術，并成功地用于12英寸大生產中，建立了開放式的90nmCMOS大生產關鍵工藝技術平臺，使我國成為掌握當前國際最先進集成電路大生產工藝制造技術的少數國家和地區之一，為我國集成電路設計、制造、專用設備和材料技術的研發，提供了一個產學研相結合的技術平臺，對我國集成電路產業的發展具有重要意義。該項目曾獲2007年教育部科學技術一等獎。

　　微電子所徐秋霞研究員作為該課題主要完成人之一，圓滿完成了該課題中的子課題“70納米CMOS關鍵技術及器件研究”的任務，她和她的科研團隊在65納米及以下技術代若干關鍵技術和新結構器件研發方面（如非平面體硅CMOS FinFET 新器件結構及其集成技術、凹槽平面雙柵MOS器件新結構及其制備、疊層柵介質/金屬柵工藝及其集成技術）取得多項創新成果，獲發明專利授權5項，在《IEEE TED》、《半導體學報》等學術刊物發表論文16篇，國際會議發表論文6篇。