成果展示
微電子所在高可靠技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進展
近日，微電子所中國科學院硅器件技術(shù)重點實驗室在高可靠技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進展。
近年來，重點實驗室與微電子所先導中心、中科院新疆理化所等所內(nèi)外科研單位合作，在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗輻照性能上進行了深入研究。研究表明，在導通偏置下的輻照過程中，體硅FinFET展現(xiàn)出高抗總劑量輻射能力，輻照誘發(fā)閾值電壓增大、跨導增加并改善了其亞閾值特性，引起“反向”的輻照后室溫退火效應。相同工藝下的新型DSOI器件結(jié)構(gòu)將SOI抗總劑量效應能力提高了1到2個數(shù)量級，而對電離輻照效應不敏感的復合電荷平衡終端結(jié)構(gòu)，提高了電荷平衡VDMOS器件的抗總劑量輻照能力，這兩種結(jié)構(gòu)為高劑量下器件總劑量輻照加固提供了解決方案。
基于上述研究成果，重點實驗室向2017 RADECS投送的3篇學術(shù)研究論文均被錄用，并受邀參加了2017年10月在瑞士日內(nèi)瓦舉辦的2017 RADECS國際學術(shù)大會。其中，重點實驗室助理研究員楊玲的論文“Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs”受邀作了大會報告。這是中國科學院的科研團隊首次受邀在該國際會議上作大會報告，也是本次大會唯一受邀作大會報告的中國科研團隊。重點實驗室助理研究員黃楊、副研究員宋李梅的論文“An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure”和“A Novel Combined Charge Balance Termination Structure Insensitive to Ionizing Radiation Effect”在會議期間進行了海報展示并同與會代表進行了深入交流。
RADECS會議是關(guān)于空間輻射及其對材料、器件和系統(tǒng)影響的頂級國際會議，現(xiàn)已成為器件抗輻射領(lǐng)域的年度學術(shù)盛會。2017年度RADECS會議，中國學術(shù)文章數(shù)量首次位列第3名，表示中國在該學術(shù)領(lǐng)域的科研成果受到國際同行的廣泛關(guān)注和認可，中國在這領(lǐng)域的相關(guān)影響力在不斷地增強！
圖1. FinFET器件的輻照機理研究進展
圖2. DSOI器件的輻照機理研究進展
圖3. VDMOS器件的輻照機理研究進展
重點實驗室科研團隊受邀參加2017 RADECS國際學術(shù)大會