成果展示
“氧化物阻變存儲器機理與性能調控”項目榮獲2016年國家自然科學二等獎
國家科學技術獎勵大會于2017年1月9日上午在北京人民大會堂隆重舉行。微電子所獨立完成的“氧化物阻變存儲器機理與性能調控”項目獲得2016年國家自然科學二等獎。
“氧化物阻變存儲器機理與性能調控”項目主要完成人為劉明、劉琦、管偉華、龍世兵、王艷。高性能存儲是信息技術的基礎，本項目針對新型氧化物阻變存儲技術中的基礎科學問題開展了系統(tǒng)研究，主要科學發(fā)現(xiàn)包括在納米尺度揭示了阻變機理、發(fā)現(xiàn)了功能層摻雜調控存儲性能的規(guī)律、提出了局域電場增強器件參數(shù)一致性的方法。8篇代表性論文和20篇主要論文分別被SCI他引750次、1158次，作為典型進展被寫入15本著作和40篇綜述，成功研制了基于HfO2的1kb 阻變存儲器測試芯片，相關專利已授權/許可給中芯國際和武漢新芯。
