成果展示
微電子所等離子體浸沒黑硅表面處理設(shè)備榮獲“第十屆中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”
3月24日，2016年中國半導(dǎo)體市場年會(huì)暨第五屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(huì)在北京舉行。微電子所微電子儀器設(shè)備研發(fā)中心出品的等離子體浸沒黑硅表面處理設(shè)備榮獲“第十屆中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”。
等離子體浸沒黑硅表面處理設(shè)備采用獨(dú)特創(chuàng)新設(shè)計(jì)，使用長壽命、低氣壓均勻等離子體源，優(yōu)化了反應(yīng)腔內(nèi)氣流分布模型，原創(chuàng)性制備的黑硅技術(shù)具有強(qiáng)大的可見光吸收能力，其采用的32納米以下超淺結(jié)注入工藝，以及結(jié)合預(yù)非晶化處理的浸沒注入技術(shù)等特點(diǎn)獲得了專家評(píng)委的一致好評(píng)并最終獲獎(jiǎng)。
該設(shè)備為促進(jìn)太陽能電池的應(yīng)用、推動(dòng)集成電路制造業(yè)的發(fā)展將起到重要的推動(dòng)作用。
榮譽(yù)證書