成果展示
微電子所3D NAND存儲(chǔ)器技術(shù)成果亮相第十二屆武漢光博會(huì)暨第十一屆湖北省產(chǎn)學(xué)研會(huì)
11月12—14日，由工業(yè)和信息化部、科技部、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局、中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)和湖北省人民政府主辦的第十二屆武漢光博會(huì)暨第十一屆湖北省產(chǎn)學(xué)研會(huì)在武漢舉辦。微電子所中科新芯三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心與武漢新芯集成電路制造有限公司合作研發(fā)的先進(jìn)3D NAND型閃存存儲(chǔ)器芯片亮相大會(huì)。
本次展會(huì)采用實(shí)物展示、展板展示和互動(dòng)演示交流等形式，集中展示了中科院相關(guān)研究所不同領(lǐng)域的100余項(xiàng)最新科技成果，其中中科新芯三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心與武漢新芯集成電路制造有限公司合作研發(fā)的先進(jìn)3D NAND型閃存存儲(chǔ)器芯片實(shí)物展示和宣傳展板吸引了大批參會(huì)者駐足參觀。該技術(shù)成果是微電子所充分發(fā)揮產(chǎn)—研聯(lián)合研發(fā)新模式的優(yōu)勢(shì)與潛力，經(jīng)過(guò)近8個(gè)月的技術(shù)攻關(guān)，與武漢新芯集成電路制造有限公司聯(lián)合研發(fā)的首款具備9層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器件。微電子所科研人員承擔(dān)了工藝流程設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝模塊開(kāi)發(fā)、存儲(chǔ)器測(cè)試芯片設(shè)計(jì)等重要任務(wù)。測(cè)試結(jié)果顯示，該款芯片實(shí)現(xiàn)了預(yù)期的數(shù)據(jù)存取功能。這一重要突破標(biāo)志著我國(guó)首次自主研發(fā)的產(chǎn)品級(jí)三維存儲(chǔ)器工藝流程順利貫通。
展會(huì)期間，中科新芯三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心向與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)、企業(yè)代表和觀眾詳細(xì)介紹了微電子所產(chǎn)—研聯(lián)合研發(fā)新模式，獲得了高度認(rèn)可，形成了良好的示范效應(yīng)。
開(kāi)幕式現(xiàn)場(chǎng)
3D NAND存儲(chǔ)器芯片實(shí)物