成果展示
微電子所科研人員榮獲2015年度“中國科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)”
近日，2015年度中國科學(xué)院王寬誠人才獎(jiǎng)項(xiàng)評選結(jié)果公布，微電子所副研究員呂杭炳、劉琦榮獲“中國科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)”。此次全院共有50位青年學(xué)者獲此殊榮。
呂杭炳主要從事阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的研究工作，在阻變存儲(chǔ)器的集成技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)和可靠性等方面開展了系統(tǒng)的研究工作，研制了具有完整讀寫功能的1 kb RRAM存儲(chǔ)芯片，建立了能夠同時(shí)兼顧實(shí)驗(yàn)室研發(fā)與企業(yè)大生產(chǎn)的研發(fā)平臺(tái)；觀測到了導(dǎo)電細(xì)絲經(jīng)過多次編程后形貌、組分的演變過程，揭示了RRAM存儲(chǔ)特性的衰退機(jī)制，并有針對性的提出了優(yōu)化方案；研制成功具有4層堆疊結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)陣列；作為負(fù)責(zé)人主持“863”計(jì)劃子課題1項(xiàng)、國家自然科學(xué)基金2項(xiàng)；在Nature Communication、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electron Devices Letter等國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物和會(huì)議上發(fā)表論文60余篇，SCI他引675次，H因子15，作國際會(huì)議邀請報(bào)告6次；獲得中國發(fā)明專利授權(quán)16項(xiàng)，美國發(fā)明專利授權(quán)2項(xiàng)。
劉琦主要從事納米加工與新型納米電子器件的研究工作，在阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的性能優(yōu)化、集成、微觀機(jī)制的表征和建模上開展了系統(tǒng)的研究工作，提出了阻變功能層摻雜的材料優(yōu)化方案，解決了RRAM器件激活電壓高、產(chǎn)率低和重復(fù)性差的難題；提出了“局域電場增強(qiáng)”的新器件設(shè)計(jì)思想，實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電通路生長的可控性，解決了RRAM器件參數(shù)離散影響集成的難題；首次實(shí)時(shí)獲得導(dǎo)電通路形成/破滅的動(dòng)態(tài)過程，揭示了電阻轉(zhuǎn)變的微觀機(jī)制，建立了多值阻變模型；獲得國家自然科學(xué)基金委優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目，主持和參與了國家自然科學(xué)基金委、國家科技重大專項(xiàng)、“863”計(jì)劃、“973”計(jì)劃等多項(xiàng)關(guān)于新型存儲(chǔ)技術(shù)項(xiàng)目；獲得北京市科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)（排名第二），在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater.、EDL和APL等期刊發(fā)表SCI論文60多篇，SCI他引1400多次，H因子18，獲得授權(quán)中國發(fā)明專利14項(xiàng)，美國發(fā)明專利2項(xiàng)。
“盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)”是在王寬誠教育基金會(huì)資助下設(shè)立，旨在吸引和凝聚創(chuàng)新思想活躍的青年人才，鼓勵(lì)青年人才面向國家戰(zhàn)略需求和國際學(xué)科前沿，在創(chuàng)新實(shí)踐活動(dòng)中鍛煉成長，獎(jiǎng)勵(lì)在各學(xué)科領(lǐng)域做出突出貢獻(xiàn)的青年科技人才。