成果展示
有機(jī)器件低溫柔性薄膜封裝研究獲顯著進(jìn)展
近日，中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備技術(shù)研究室（八室）劉鍵、劉杰、冷興龍、屈芙蓉等科研人員組成的有機(jī)電子柔性封裝課題組聯(lián)合中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所在有機(jī)電子器件低溫柔性薄膜封裝ICP-PECVD系統(tǒng)研究上取得顯著進(jìn)展。
有機(jī)電子器件具有輕、柔、薄等特色，有機(jī)電子產(chǎn)品市場前景廣闊，是當(dāng)今國際研究熱點(diǎn)之一。有機(jī)電子器件金屬陰極及部分功能材料對水氧特別敏感，使得有機(jī)電子器件封裝特別是柔性封裝成為技術(shù)難點(diǎn)。具有有機(jī)/（過渡層）/無機(jī)交替結(jié)構(gòu)的柔性薄膜封裝是有機(jī)電子器件封裝的最佳選擇之一。柔性薄膜封裝要求封裝溫度低于120oC、有機(jī)/無機(jī)薄膜同源同室生長、封裝層水氧阻擋性強(qiáng)。
針對上述要求，該研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并研制了一套有機(jī)電子低溫柔性薄膜封裝ICP-PECVD系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)生長氣氛在相同的前驅(qū)體條件下分別實(shí)現(xiàn)有機(jī)、過渡、無機(jī)薄膜的同腔沉積。沉積時(shí)樣品臺(tái)溫度控制在80oC左右。沉積薄膜厚度均一，6寸硅片厚度均勻性達(dá)0.52%；沉積薄膜表面平整，薄膜表面粗糙度Ra可低至0.33nm；單個(gè)周期有機(jī)/無機(jī)交替結(jié)構(gòu)薄膜封裝層水汽滲透率達(dá)3.66×10-4g/m2/day（已超出北京印刷學(xué)院水氧滲透率測試儀10-4g/m2/day測試極限）。
圖1 ICP-PECVD系統(tǒng)
(a) (b) (c)
圖2有機(jī)、無機(jī)薄膜沉積前后6寸硅片照片
（a）沉積前，（b）無機(jī)，（c）有機(jī)
(a) (b)
圖3 沉積前后PET照片
（a）沉積前，（b）沉積后
圖4 水汽滲透率測試結(jié)果