成果展示
微電子所在黑硅（多晶）太陽能電池研究上再獲突破
近日，中科院微電子所微電子設(shè)備研究室（八室）夏洋研究員帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽能電池研究上再次獲得突破，電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88％，在多晶硅太陽能電池研究領(lǐng)域中處于先進(jìn)水平。
夏洋研究團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒離子注入技術(shù)，在商用多晶硅（156×156mm2）襯底上制備黑硅材料，并將其成功應(yīng)用于太陽能電池領(lǐng)域。該方法通過離子注入反應(yīng)，形成致密的納米結(jié)構(gòu)，起到良好的陷光作用，使多晶硅的光吸收達(dá)到99%，從而大大提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。其相關(guān)研究文章發(fā)表在Solar Energy Materials and Solar cells、Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學(xué)報(bào)等多家期刊上，并已申請專利30余項(xiàng)。
目前，該團(tuán)隊(duì)和浙江省大型光伏生產(chǎn)企業(yè)已開展密切合作，該技術(shù)的應(yīng)用有望為我國光伏企業(yè)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
多晶黑硅太陽能電池I-V測試曲線（微電子所，2012）
多晶黑硅太陽能電池模組（微電子所，2012）