成果展示
微電子所博士生劉杰榮獲等離子體注入與沉積國際會議優(yōu)秀學(xué)生論文獎(jiǎng)
2011年9月8日至12日，第十一屆等離子體注入和沉積國際會議（PBII&D）在哈爾濱召開，我所微電子設(shè)備技術(shù)研究室（八室）博士生劉杰在大會上作了題為《A Novel Method to Texture Silicon for Solar Cells》的報(bào)告，其論文《High efficiency black silicon solar cell with self-cleaning dual-scale textured surface》榮獲本屆會議優(yōu)秀學(xué)生論文獎(jiǎng)（優(yōu)秀率2%）。
PBII&D是等離子體研究領(lǐng)域內(nèi)的頂級國際會議。PBII&D 2011由哈爾濱工業(yè)大學(xué)主辦，國內(nèi)外參會代表400余人。與會代表分別圍繞等離子體注入和材料表面處理、高功率脈沖磁控濺射及等離子體源、多功能薄膜、等離子體診斷理論和模擬等議題展開了討論。
八室博士生劉杰在導(dǎo)師夏洋研究員的指導(dǎo)下，從2009年開始從事黑硅材料和太陽能電池方向的研究工作。劉杰在本屆大會上對本課題組最近的工作進(jìn)展做了報(bào)告，原創(chuàng)性地提出利用等離子體浸沒離子注入（PIII）的方法制備黑硅材料。該方法制備的黑硅材料不但表面形貌能實(shí)現(xiàn)可控制備，而且反射率極低，利用該黑硅材料制造的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)工藝提高0.3%~0.5%。此方法有望替代傳統(tǒng)濕法制絨技術(shù)應(yīng)用于太陽能電池的大規(guī)模生產(chǎn)。由于研究工作的原創(chuàng)性、新穎性，報(bào)告受到了與會國內(nèi)外代表的極大關(guān)注和好評，論文被評委本屆會議的“The Excellent Student Paper”。
優(yōu)秀學(xué)生論文獎(jiǎng)證書